[发明专利]带有抑制的剪切模式的SAW滤波器

权利要求书

1.一种SAW滤波器，

-包括：

-接在滤波器输入端与滤波器输出端之间的串联支路，在该串联支路中布置有串联谐振器(RS)，以及

-n个与所述串联支路并联且接到固定电位的并联支路，在这些并联支路中分别布置有并联谐振器，其中，2≤n≤5，

-在该SAW滤波器中构造有带有所有串联谐振器的最低的反谐振频率和最大的叉指周期的第一串联谐振器(Sx)，

-在该SAW滤波器中，与其他串联谐振器相比，所述第一串联谐振器的零极点间距以如此程度减小，即使得声波的寄生剪切模式移出到所述滤波器的通带之外，

-在该SAW滤波器中，所述串联谐振器中的其他串联谐振器具有比在所述第一串联谐振器中更大的零极点间距和叉指周期。

2.根据权利要求1所述的SAW滤波器，

-在该SAW滤波器中，通过与所述第一串联谐振器并联构造为叉指结构的第一电容器来减小所述第一串联谐振器的零极点间距，

-在该SAW滤波器中，所述电容器的值如此确定大小，即使得通过所述第一串联谐振器的较短叉指周期和较小零极点间距，使得声波的寄生剪切模式移出到所述滤波器的通带之外。

3.根据权利要求1或2所述的SAW滤波器，

该SAW滤波器构建于切角为红光125°至红光130°的铌酸锂衬底上。

4.根据前述权利要求中任一项所述的SAW滤波器，该SAW滤波器具有通过电极金属化布置于衬底上的SiO2层，以用于补偿所述滤波器的温度变化。

5.根据前述权利要求中任一项所述的SAW滤波器，在该SAW滤波器中所述第一电容器构造为谐振器。

6.根据前述权利要求中任一项所述的SAW滤波器，该SAW滤波器被配置成在相对带宽大于3％的频带中工作，特别是在频带2或3中工作。

7.根据前述权利要求中任一项所述的SAW滤波器，在该SAW滤波器中，SH模式处于通带右边缘与侧底之间范围内的全部谐振器皆实施成具有减小的零极点间距。

8.根据前一项权利要求所述的SAW滤波器，在该SAW滤波器中，出现起干扰作用的SH模式的那些串联谐振器的零极点间距被减小，以便通过以下方式实现校正所述SH模式的位置：

-在材料和层厚方面改变层结构，特别是施加和/或改变修整层，

-抽指加权，

-与构造为谐振器的并联电容器连接。

9.一种用于移动在构建在铌酸锂衬底上且使用瑞利波的SAW滤波器中的起干扰作用的SH模式的方法，

a)其中，在第一步骤中，由SAW谐振器设计所述滤波器，

b)其中，设置接在滤波器输入端与滤波器输出端之间的串联支路，在该串联支路中布置串联谐振器(RS)，以及n个与所述串联支路并联且接到固定电位的并联支路，在这些并联支路中分别布置并联谐振器，

c)其中确定这样的一个或多个第一串联谐振器，即其在通带或通带边缘的区域内具有起干扰作用的SH模式，

d)其中与所述第一串联谐振器分别并联地设置且联接有构造为叉指结构的第一电容器，从而所述第一串联谐振器的零极点间距相对于其他串联谐振器减小，

e)其中所述第一串联谐振器的叉指周期减小，直至在滤波器的通带右边缘的区域中再次存在反谐振

f)其中减小零极点间距的电容器的值至少设定得如此高，即使得在方法步骤e)之后SH模式的取决于所述谐振器的谐振频率移动到处于通带边缘之上的频率。