[发明专利]小热质量的加压腔室有效
| 申请号： | 201680054443.6 | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN108140542B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 罗曼·古科;陈翰文;史蒂文·韦尔韦贝克;简·德尔马斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 质量 加压 | ||
1.一种基板处理设备，包括：
腔室主体，所述腔室主体界定用于在提高的压力下进行操作的处理容积，其中所述腔室主体包括：
衬垫，所述衬垫设置于所述腔室主体内并相邻于所述处理容积；和
隔离元件，所述隔离元件设置于所述腔室主体内并相邻于所述衬垫，其中所述隔离元件具有与所述腔室主体和所述衬垫的热膨胀系数相似的热膨胀系数，并且其中所述隔离元件围绕所述衬垫以通过将所述衬垫与所述腔室主体隔离来减低所述衬垫的热质量；
基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述处理容积内；和
挡板，所述挡板设置于所述处理容积内。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述衬垫具有相对于所述腔室主体的小热质量。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述基板支撑件经构造以移动进入所述处理容积和移动离开所述处理容积。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述基板支撑件耦接至加热元件。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述挡板耦接至致动器以在所述处理容积内移动所述挡板，且所述致动器经构造以升高和降低所述挡板。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述挡板由从以下材料组成的群组中选择的材料形成：不锈钢、铝、陶瓷材料、和石英材料。
7.一种基板处理设备，包括：
平台，所述平台具有传输腔室和耦接于所述平台上的处理腔室，所述处理腔室以倾斜角度相对于所述传输腔室而设置，其中所述处理腔室包括：
腔室主体，所述腔室主体界定处理容积，所述处理容积经构造以在提高的压力下进行操作，其中所述腔室主体包括：
衬垫，所述衬垫设置于所述腔室主体内并相邻于所述处理容积；和
隔离元件，所述隔离元件设置于所述腔室主体内并相邻于所述衬垫，其中所述隔离元件具有与所述腔室主体和所述衬垫的热膨胀系数相似的热膨胀系数，并且其中所述隔离元件围绕所述衬垫以通过将所述衬垫与所述腔室主体隔离来减低所述衬垫的热质量；
基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述处理容积内；和
挡板，所述挡板设置于所述处理容积内。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述衬垫具有相对于所述腔室主体的小热质量。
9.根据权利要求7所述的设备，其中所述基板支撑件经构造以移动进入所述处理容积和移动离开所述处理容积。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述基板支撑件耦接至加热元件。
11.根据权利要求7所述的设备，其中所述挡板耦接至致动器，所述致动器经构造以在所述处理容积内移动所述挡板，且所述致动器经构造以升高和降低所述挡板。
12.根据权利要求7所述的设备，其中所述挡板由从以下材料组成的群组中选择的材料制成：不锈钢、铝、陶瓷材料、和石英材料。
13.根据权利要求7所述的设备，其中所述倾斜角度介于10°和90°之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
