[发明专利]用于非易失性存储器的子块模式

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包含：

NAND串，其包括存储器单元的第一集合和存储器单元的第二集合，存储器单元的第一集合布置在第一控制线和存储器单元的第二集合之间，存储器单元的第二集合布置在存储器单元的第一集合与第二控制线之间；和

控制电路，其被配置为确定存储器单元的第一集合中的每个存储器单元按照从最靠近存储器单元的第二集合的、存储器单元的第一集合的第一存储器单元开始并且以最靠近第一控制线的、存储器单元的第一集合的第二存储器单元结束的顺序处于最终编程的数据状态中，控制电路被配置为验证第一存储器单元的编程的数据状态，而存储器单元的第二集合中的每一个处于擦除的数据状态中。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中：

第一控制线包含源极线；

第二控制线包含位线；并且

控制电路被配置为验证存储器单元的第一集合中的每个存储器单元按照从最靠近存储器单元的第二集合的、存储器单元的第一集合的第一存储器单元开始并且以最靠近源极线的、存储器单元的第一集合的第二存储器单元结束的连续顺序处于最终编程的数据状态中。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器装置，其中：

所述控制电路被配置为在第一存储器单元的编程的数据状态的验证期间，将位线电压施加到位线，并且在第一存储器单元的编程的数据状态的验证之后，将对应于存储器单元的第一集合的NAND串的沟道设置到大于位线电压的特定电压。

4.如权利要求1至3中的任一所述的非易失性存储器装置，其中：

所述控制电路被配置为在第一存储器单元的编程的数据状态的验证之后将存储器单元的第二集合中的至少一个设置到非导通状态中，而存储器单元的第一集合中的每一个保持在导通状态中。

5.如权利要求1至3中的任一所述的非易失性存储器装置，其中：

控制电路被配置为在第一存储器单元的编程的数据状态的验证之后将存储器单元的第一集合中的至少一个设置到非导通状态中，而存储器单元的第二集合中的每一个保持在导通状态中。

6.如权利要求1至3中的任一所述的非易失性存储器装置，其中：

控制电路被配置为在第一存储器单元的编程的数据状态的验证之前将一个或多个编程脉冲施加到第一存储器单元。

7.如权利要求1至3中的任一所述的非易失性存储器装置，其中：

NAND串包含垂直NAND串。

8.一种操作非易失性存储器的方法，包含：

编程包括存储器单元的第一集合和存储器单元的第二集合的NAND串，存储器单元的第一集合布置在第一控制线与存储器单元的第二集合之间，存储器单元的第二集合布置在存储器单元的第一集合与第二控制线之间；和

验证存储器单元的第一集合中的每个存储器单元按照从最靠近存储器单元的第二集合的、存储器单元的第一集合的第一存储器单元开始并且以最靠近第一控制线的、存储器单元的第一集合的第二存储器单元结束的顺序处于最终编程的数据状态中，而存储器单元的第二集合中的每一个处于擦除的数据状态中。

9.如权利要求8所述的方法，其中：

第一控制线包含源极线。

10.如权利要求9所述的方法，其中：

第二控制线包含位线。

11.如权利要求8至10中的任一所述的方法，其中：

所述验证包括验证存储器单元的第一集合中的每个存储器单元按照最靠近存储器单元的第二集合的、存储器单元的第一集合中的第一存储器单元开始并且以最靠近第一控制线的、存储器单元的第一集合的第二存储器单元结束的连续顺序处于最终编程的数据状态中。