[发明专利]用于毫秒退火系统的气体流动控制有效

专利信息
申请号: 201680054100.X 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN108028214B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 克里斯蒂安·普法勒;约瑟夫·西贝尔 申请(专利权)人: 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/324
代理公司: 北京易光知识产权代理有限公司 11596 代理人: 崔晓光
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 毫秒 退火 系统 气体 流动 控制
【权利要求书】:

1.一种热处理系统,包括:

处理室,所述处理室包括通过晶片平板与底部室分隔开的顶部室;

窗口,所述窗口限定所述顶部室的顶部;

所述顶部室的室壁,所述室壁设置在所述晶片平板和所述窗口之间,

多个热源,所述多个热源设置在所述窗口上方的位置,所述多个热源配置成为基板的热处理提供热量至所述基板的顶表面;

多个气体入口,所述多个气体入口配置成将气体注入所述顶部室中;

其中,所述基板由所述晶片平板支承,

其中,所述多个气体入口中的一个或多个气体入口包括穿透反射镜的管,所述反射镜设置在所述顶部室的所述室壁上,

其中,所述多个气体入口中的至少一个气体入口定位在所述基板的与闸阀相对的高度处,使得从所述至少一个气体入口注入的气体朝向所述闸阀流经所述基板,所述反射镜设置成与所述闸阀相对,并且

其中,所述晶片平板包括促进所述顶部室与所述底部室之间的气体流动的气体通道。

2.根据权利要求1所述的热处理系统,其中,所述多个气体入口中的至少一个气体入口靠近所述晶片平板定位。

3.根据权利要求1所述的热处理系统,其中,所述多个气体入口中的至少一个气体入口定位成与所述顶部室的所述顶部相距第一距离且与所述晶片平板相距第二距离,所述第一距离大于所述第二距离。

4.根据权利要求1所述的热处理系统,其中,所述多个气体入口中的至少一个气体入口定位成与靠近所述晶片平板的所述闸阀相对。

5.根据权利要求4所述的热处理系统,其中,所述热处理系统还包括气体流动系统,所述气体流动系统包括靠近所述闸阀定位的一个或多个排气口。

6.根据权利要求1所述的热处理系统,其中,所述管具有直的开口端。

7.根据权利要求1所述的热处理系统,其中,所述管具有与管轴线垂直的开口。

8.根据权利要求1所述的热处理系统,其中,所述管具有与管轴线成非垂直角度的开口。

9.一种毫秒退火系统,包括:

处理室,所述处理室包括通过晶片平板与底部室分隔开的顶部室;

窗口,所述窗口限定所述顶部室的顶部;

所述顶部室的室壁,所述室壁设置在所述晶片平板和所述窗口之间,

一个或多个弧光灯,所述一个或多个弧光灯设置在所述窗口上方的位置,所述一个或多个弧光灯配置成为基板的热处理提供闪光以加热所述基板的顶表面;

一个或多个气体入口,所述一个或多个气体入口配置成将气体注入所述顶部室中;

其中,所述基板由所述晶片平板支承,

其中,所述晶片平板包括设置在所述晶片平板的不同侧的多个气体通道,所述多个气体通道均具有线性横穿所述处理室的至少一部分宽度延伸的连续长度,所述多个气体通道均设置在所述顶部室和所述底部室之间,

其中,所述多个气体通道包括分别设置在所述晶片平板的相反两侧的第一组气体通道和分别设置在所述晶片平板的另外的相反两侧的第二组气体通道,并且

其中,所述第一组气体通道均具有第一长度且所述第二组气体通道均具有第二长度,所述第二长度小于所述第一长度以允许安装所述晶片平板。

10.根据权利要求9所述的毫秒退火系统,其中,所述第一长度等于所述处理室的宽度且所述第二长度小于所述处理室的宽度。

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