[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及存储介质

说明书

基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻；以及第二处理工序，在向所述基板供给所述第一处理液之后，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻，在该第二处理液中，以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸。在通过湿蚀刻从基板的周缘部分去除包含SiGe、非晶硅或多晶硅的去除对象膜时，能够适当地保留存在于去除对象膜下的基底膜、例如包含SiO₂的膜。

技术领域

本发明涉及一种对在基板的周缘部分形成的膜进行湿蚀刻的技术。

背景技术

在半导体器件的制造中，进行利用药液从半导体晶圆等基板的包含斜面部的周缘部分去除不需要的膜的斜面蚀刻这样的工序。在应去除的膜的下层经常存在应保留的膜。在该情况下，在应去除的膜相对于应保留的膜的蚀刻选择比不足够高的情况下，为了使应保留的膜的蚀刻量最小，需要将蚀刻率抑制得低。

在专利文献1中公开了以下一种基板处理方法：在进行斜面蚀刻时，在想要提高蚀刻率时，从第一喷嘴向旋转的基板的周缘部分供给高浓度的药液例如氢氟酸，在想要抑制蚀刻率时，从第一喷嘴向旋转的基板的周缘部分供给高浓度的药液，并且从第二喷嘴向基板的周缘部分供给纯水(DIW)来稀释从第一喷嘴供给的药液。

但是，通过氢氟酸与纯水的组合来控制蚀刻率的方法不能应用于去除对象膜包含SiGe、非晶硅、多晶硅的情况。

专利文献1：日本特开2008-47629号公报

发明内容

本发明的目的在于提供如下一种技术：在通过湿蚀刻从基板的周缘部分去除包含SiGe、非晶硅或多晶硅的去除对象膜时，适当地保留存在于去除对象膜下的包含SiO₂等的基底膜。

根据本发明的一个实施方式，提供一种基板处理方法，对基板的周缘部分进行处理，所述基板处理方法包括以下工序：基板旋转工序，保持基板并使该基板旋转，该基板形成有基底膜，在所述基底膜上形成有包含硅锗、非晶硅以及多晶硅中的任一物质的去除对象膜；第一处理工序，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻；以及第二处理工序，在向所述基板供给所述第一处理液之后，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻，在该第二处理液中，以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸。

根据本发明的其它实施方式，提供一种存储有程序的存储介质，该程序在由构成基板处理装置的控制装置的计算机执行时，使所述控制装置控制所述基板处理装置来执行上述的基板处理方法。

根据本发明的另一个实施方式，提供一种基板处理装置，用于对基板进行处理，该基板形成有基底膜，在所述基底膜上形成有由硅锗、非晶硅以及多晶硅中的任一物质构成的去除对象膜，所述基板处理装置具备：基板保持机构，其保持基板并使该基板旋转；处理液供给部，其向由所述基板保持机构保持的基板的周缘部分供给含有氢氟酸和硝酸的处理液；以及控制部，其控制所述基板保持机构和所述处理液供给部，其中，所述处理液供给部构成为能够供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，并且能够供给以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸的第二处理液，所述控制部控制所述基板保持机构来使所述基板旋转，且控制所述处理液供给部来使所述处理液供给部向正在旋转的所述基板的周缘部分供给所述第一处理液，之后，使所述处理液供给部向正在旋转的所述基板的周缘部分供给所述第二处理液。

根据上述的本发明的实施方式，在通过湿蚀刻从基板的周缘部分去除包含SiGe、非晶硅或多晶硅的去除对象膜时，能够适当地保留存在于去除对象膜下的基底膜。

附图说明

图1是示出本发明的一个实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的俯视图。