[发明专利]石墨基板上生长的纳米线或纳米锥有效
| 申请号： | 201680053114.X | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN108352424B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 金东彻;艾达·玛丽·E·霍埃斯;卡尔·菲利普·J·海姆达尔;比约恩·奥韦·M·菲姆兰;赫尔格·韦曼 | 申请（专利权）人： | 科莱约纳诺公司;挪威科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/18;H01L33/24;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 沈敬亭;郑希元 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 基板上 生长 纳米 | ||
1.石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其包含：
石墨基板；
直接沉积于所述基板的顶部上与任何支撑件相对的具有不大于50nm的厚度的晶种层；以及
直接于所述晶种层的顶部上的氧化物或氮化物遮罩层；
其中多个孔贯通所述晶种层及贯通所述遮罩层至所述石墨基板而存在；且其中
多个纳米线或纳米锥从所述基板于所述孔中生长，所述纳米线或纳米锥包含至少一种半导体III-V族化合物。
2.如权利要求1所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述石墨基板是携载于支撑件上的。
3.如权利要求1所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述晶种层是金属层。
4.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述基板是石墨烯。
5.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述纳米线或纳米锥自所述基板外延生长。
6.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述基板的厚度高达20nm。
7.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述晶种层是来自第一(3d)过渡系列(Sc-Zn)、B、Al、Si、Ge、Sb、Ta、W或Nb的金属层。
8.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述遮罩层包含金属氧化物或金属氮化物。
9.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述遮罩层包含Al2O3、TiO2、SiO2、AlN、BN或Si3N4。
10.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中支撑件包含半导体基板、透明玻璃、AlN或碳化硅。
11.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中支撑件包含半导体基板，所述半导体基板包含具有与表面垂直的[111]、[110]或[100]晶体取向的晶体Si或GaAs且于顶部具有或不具有氧化物或氮化物层；或包含熔融二氧化硅或熔融氧化铝的透明玻璃。
12.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述纳米线或纳米锥是掺杂的。
13.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述纳米线或纳米锥是核-壳纳米线或纳米锥或径向异质结构化的纳米线或纳米锥。
14.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述纳米线或纳米锥是轴向异质结构化的纳米线或纳米锥。
15.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中石墨顶部接触层存在于所述纳米线或纳米锥的顶部上。
16.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述遮罩层包含至少两个不同的层。
17.如权利要求1或2所述的石墨基板上的多个纳米线或纳米锥，其中所述遮罩层包含氧化物层及氮化物层。
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