[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有：载体(5)；和设置在所述载体(5)上的半导体本体(2)，所述半导体本体具有半导体层序列；以及芯片前侧和芯片后侧，其中

-所述半导体层序列包括有源区域(20)，所述有源区域设置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间，并且所述有源区域设置用于产生或接收电磁辐射，

-所述第一半导体层(21)与第一接触件(41)导电连接，

-所述第一接触件(41)在所述芯片前侧上构成，

-所述第二半导体层(22)与第二接触件(42)导电连接，

-所述第二接触件(42)同样在所述芯片前侧上构成，并且

-电绝缘的分离层(6)，所述电绝缘的分离层将所述半导体芯片的所述芯片后侧与所述有源区域(20)电绝缘，其中所述电绝缘的分离层(6)包括至少一个第一分离层(61)，所述第一分离层具有至少一个原子子层的层或至少一个分子子层的层，并且借助于原子层沉积或分子层沉积来沉积。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，

其中所述第一接触件(41)在所述有源区域(20)旁边构成。

3.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，

其中所述第二接触件(42)在所述有源区域(20)旁边构成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中在所述载体的前侧(51)上、在所述载体的后侧(52)上或在所述载体(5)之内设置有所述电绝缘的分离层(6)。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中所述原子子层的层和/或分子子层的层具有一个或多个子层。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中所述第一分离层(61)具有至少一种或多种绝缘的氧化物化合物或氮化物化合物。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中所述第一分离层(61)具有下述材料中的一种或多种：Al_xO_y,SiO₂,Ta_xO_y,TaN,TiO,SiN,AlN,TiN,ZrO₂,HfO₂,HfSiO4,ZrSiO₄,HfSiON。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中所述电绝缘的分离层(6)具有由电绝缘材料构成的层序列。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中所述层序列包括所述第一分离层(61)和至少一个第二分离层(62)，所述第二分离层(62)具有一个或多个通过气相沉积或溅射方法沉积的子层。

10.根据权利要求9所述的光电子半导体芯片，其中

-所述层序列具有第三分离层(63)，并且其中所述第三分离层(63)具有一个或多个通过气相沉积或通过溅射方法沉积的子层，和

-所述第一分离层(61)至少部分地由所述第二分离层(62)和第三分离层(63)包围。

11.根据权利要求10所述的光电子半导体芯片，

其中所述第二分离层(62)和/或所述第三分离层(63)具有至少一种或多种绝缘的氧化物化合物或氮化物化合物。