[发明专利]等离子体雾化金属粉末制造工艺及其系统

权利要求书

1.一种等离子体雾化金属粉末制造工艺，包括：

提供加热的金属源；以及

将所述加热的金属源与至少一个等离子体源的等离子体对准，所述对准包括：将所述加热的金属源定位在与所述至少一个等离子体源的出口喷嘴相距至多5厘米内，

在有效引起所述加热的金属源雾化的条件下，使所述加热的金属源与所述至少一个等离子体源的等离子体接触，所述加热的金属源在所述至少一个等离子体源的顶点处接触所述等离子体，其中，所述雾化通过使用小于约20的总气体-金属量比值而执行，从而获得具有根据ASTM B214测量的、至少80％的0 μm至106 μm粒度分布产量的原始金属粉末。

2.根据权利要求1所述的制造工艺，其中，所述总气体-金属量比值小于约17。

3.根据权利要求1所述的制造工艺，其中，所述总气体-金属量比值为约5至约15。

4.根据权利要求1所述的制造工艺，其中，所述总气体-金属量比值为约2至约10。

5.根据权利要求1所述的制造工艺，其中，所述总气体-金属量比值为约5至约10。

6.根据权利要求1所述的制造工艺，其中，所述总气体-金属量比值为约10至约20。

7.根据权利要求1所述的制造工艺，其中，所述总气体-金属量比值为约10至约15。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的制造工艺，其中，所述原始金属粉末具有根据ASTM B214测量的、至少90％的0 μm至106 μm粒度分布产量。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的制造工艺，其中，所述原始金属粉末具有根据ASTM B214测量的、至少85％的0 μm至75 μm粒度分布产量。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的制造工艺，其中，所述原始金属粉末具有根据ASTM B214测量的、至少50％的0 μm至45 μm粒度分布产量。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的制造工艺，其中，所述原始金属粉末具有根据ASTM B214测量的、至少60％的0 μm至45 μm粒度分布产量。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的制造工艺，其中，所述等离子体从所述至少一个等离子体源的至少一个独立喷嘴发射。

13.根据权利要求1至7中任一项所述的制造工艺，其中，所述等离子体从所述至少一个等离子体源的多个独立喷嘴发射，所述独立喷嘴围绕所述加热的金属源成角度地定位。

14.根据权利要求1至7中任一项所述的制造工艺，其中，所述等离子体从所述至少一个等离子体源的环形喷嘴发射。

15.根据权利要求1至7中任一项所述的制造工艺，其中，所述加热的金属源从丝、棒和熔体流中选择。

16.根据权利要求1至7中任一项所述的制造工艺，其中，所述加热的金属源是通过电阻加热、电弧放电和感应加热中的至少一种加热的丝。

17.根据权利要求1至7中任一项所述的制造工艺，其中，所述加热的金属源是通过电阻加热、电弧放电和感应加热中的至少一种加热的棒。

18.根据权利要求1至7中任一项所述的制造工艺，其中，所述加热的金属源是从凝壳熔炼或水冷坩埚获得的加热的熔体流。