[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，在该薄膜晶体管基板以矩阵状排列有多个像素，

该薄膜晶体管基板的特征在于，

所述像素具有：

栅极电极，其选择性地配置在基板之上；

栅极绝缘膜，其将所述栅极电极覆盖；

半导体沟道层，其由氧化物半导体膜形成，选择性地配置在所述栅极绝缘膜之上；

保护绝缘膜，其配置在所述半导体沟道层之上；

第1层间绝缘膜，其以将所述保护绝缘膜和所述半导体沟道层的层叠膜覆盖的方式设置在所述基板之上；

源极电极及漏极电极，它们由透明导电膜形成，经过将所述第1层间绝缘膜及所述保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与所述半导体沟道层接触；以及

像素电极，其是从所述漏极电极延伸出的，

所述半导体沟道层处的所述源极电极和所述漏极电极之间的区域形成沟道区域，

在俯视观察时，以至少与所述沟道区域重叠的方式在所述保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，

在俯视观察时，以与所述半导体沟道层及所述第1遮光膜重叠的方式在所述源极电极之上及所述漏极电极之上配置有第2遮光膜。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述第1遮光膜由遮光性的导电膜形成，与所述源极电极及所述漏极电极电气分离，以电气浮动状态配置。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述第1遮光膜由遮光性的导电膜形成，与所述源极电极及所述漏极电极的一者直接电连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述第2遮光膜在俯视观察时，配置为将从所述接触孔的形成区域至所述第1遮光膜的形成区域为止的区域覆盖。

5.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述像素具有：

配置在所述基板之上的与所述栅极电极为相同层的栅极配线；以及

源极配线，其配置在所述栅极绝缘膜之上，

所述源极配线由下述配线构成：下层源极配线，其与形成在层叠膜之上的所述第1遮光膜为相同层，所述层叠膜是指与所述半导体沟道层为相同层的半导体膜和与所述保护绝缘膜为相同层的绝缘膜的层叠膜；以及上层源极配线，其是从所述源极电极延伸出的，与所述源极电极为相同层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述像素还具有共通电极，该共通电极配置在所述基板之上，与所述栅极电极及所述栅极配线为相同层，

所述共通电极与所述栅极配线电气分离，与所述栅极配线平行地配置，

所述像素电极在俯视观察时，以与所述共通电极的至少一部分重叠的方式与所述共通电极相对地配置，至少隔着所述第1层间绝缘膜而在所述像素电极和所述共通电极之间形成像素电位的辅助电容。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述像素具有：

第2层间绝缘膜，其以将所述源极电极、所述漏极电极及所述像素电极覆盖的方式设置在所述第1层间绝缘膜之上；

相对电极，其在所述第2层间绝缘膜之上由透明导电膜形成，在俯视观察时设置为与所述像素电极相对；以及

第3遮光膜，其在俯视观察时，以至少与所述半导体沟道层、所述第1及所述第2遮光膜重叠的方式配置在所述第2层间绝缘膜之上。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述像素还具有共通电极，该共通电极配置在所述基板之上，与所述栅极电极及所述栅极配线为相同层，

所述共通电极与所述栅极配线电气分离，与所述栅极配线平行地配置，

所述像素电极在俯视观察时，以与所述共通电极的至少一部分重叠的方式与所述共通电极相对地配置，至少隔着所述第1层间绝缘膜而在所述像素电极和所述共通电极之间形成像素电位的辅助电容。