[发明专利]晶圆检查方法及晶圆检查装置

权利要求书

1.一种晶圆检查方法，其特征在于，包括：

使用相对于晶圆表面垂直设置且具备环形光纤照明及第1受光部的第1光学系统，照射所述晶圆表面的规定位置，并接收因所述晶圆的缺陷产生的垂直散射光，测定所述规定位置上的亮度信息，并且对所述第1光学系统进行扫描，选出所述晶圆的缺陷的工序；

从已选出的缺陷选定凹坑候选的工序；及

使用相对于所述晶圆表面倾斜设置且具备平行光的照射光源及具备能够调整焦点位置的魔镜光学系统的第2受光部的第2光学系统，改变该第2光学系统的焦点位置并拍摄所述凹坑候选，根据该拍摄到的凹坑候选随着所述焦点位置的改变而呈现的明暗，将所述凹坑候选分类为凹坑及凹坑以外的缺陷的工序。

2.根据权利要求1所述的晶圆检查方法，其中，

在将所述凹坑候选进行分类的工序中，使所述焦点位置位于反向位置时成像暗且位于正向位置时成像亮的所述凹坑候选判定为凹坑，并进行所述分类。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆检查方法，其中，

所述凹坑候选包含微粒。

4.根据权利要求1或2所述的晶圆检查方法，其中，

在选定凹坑候选的工序中，将所述缺陷中长径或长边在20μm以下的缺陷作为所述凹坑候选。

5.根据权利要求1或2所述的晶圆检查方法，其中，

所述晶圆为经镜面加工的硅晶圆。

6.一种晶圆检查装置，其特征在于，具有：

第1光学系统，相对于晶圆表面垂直设置且具备环形光纤照明及第1受光部；

第2光学系统，相对于所述晶圆表面倾斜设置且具备平行光的照射光源及具备能够调整焦点位置的魔镜光学系统的第2受光部；

第1扫描部，以与晶圆表面平行的方式对所述第1光学系统进行扫描；

第2扫描部，维持所述第2光学系统的所述倾斜，并且以与晶圆表面平行的方式对所述第2光学系统进行扫描；及

控制部，控制所述第1光学系统、所述第2光学系统、所述第1扫描部及所述第2扫描部，

所述控制部控制所述第1光学系统，照射所述晶圆表面的规定位置，用所述第1受光部接收因所述晶圆的缺陷产生的垂直散射光，进而控制所述第1扫描部，对所述第1光学系统进行扫描来测定所述垂直散射光的亮度信息，并且在所述晶圆的面内的整个区域测定所述亮度信息来选出所述晶圆的缺陷，从已选出的缺陷选定凹坑候选，控制所述第2光学系统及所述第2扫描部，改变该第2光学系统的焦点位置来拍摄所述凹坑候选，根据该拍摄到的凹坑候选随着所述第2光学系统的所述焦点位置的改变而呈现的明暗，将所述凹坑候选分类为凹坑及凹坑以外的缺陷。