[发明专利]具有开槽接地板的等离子体模块

权利要求书

1.一种等离子体源组件，包含：

壳体；

阻隔板，所述阻隔板与所述壳体电连通，所述阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧、及第二侧，其中所述阻隔板是楔形的，在所述内周边缘处具有比在所述外周边缘处更窄的宽度，细长槽在所述场域中，并延伸穿过所述阻隔板，所述细长槽具有长度与宽度；以及

RF热电极，所述RF热电极在所述壳体中，所述RF热电极具有正面与背面、内周端、及外周端，所述RF热电极的所述正面与所述阻隔板隔开以限定间隙，

其中：

所述细长槽是楔形的，在靠近所述场域的所述内周边缘处具有比在靠近所述场域的所述外周边缘处更窄的宽度，和/或

在所述场域中具有多个细长槽，所述多个细长槽具有不同的长度，

其中

所述细长槽在等离子体源的外边缘处产生比内边缘处更高的离子通量，使得当在包含多个旋转基板的等离子体处理腔室中使用时，基板旋转产生对等离子体离子的均匀的暴露，补偿晶片的内边缘相对于所述晶片的外边缘的角速度的不同。

2.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述细长槽的所述长度基本上平行于所述阻隔板的所述第一侧和/或所述第二侧。

3.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述细长槽具有2mm到20mm的范围中的宽度。

4.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述细长槽的所述长度是在所述内周边缘与所述外周边缘之间的距离的50％到95％的范围中。

5.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述细长槽沿着所述场域的中心轴而居中。

6.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中具有在所述场域中的第一细长槽和在所述场域中的第二细长槽。

7.如权利要求6所述的等离子体源组件，其中所述第一细长槽基本上平行于所述阻隔板的所述第一侧或所述第二侧中的一者，而所述第二细长槽基本上平行于所述第一侧与所述第二侧中的另一者。

8.如权利要求6所述的等离子体源组件，其中所述第一细长槽具有与所述第二细长槽不同的长度。

9.如权利要求8所述的等离子体源组件，其中所述第一细长槽基本上平行于所述阻隔板的所述第一侧，而所述第二细长槽具有较所述第一细长槽更短的长度并基本上平行于所述阻隔板的所述第二侧。

10.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中具有在所述场域中的第一细长槽、在所述场域中的第二细长槽和在所述场域中的第三细长槽。

11.如权利要求10所述的等离子体源组件，其中所述第一细长槽、所述第二细长槽和所述第三细长槽中的每一者具有不同长度。

12.如权利要求11所述的等离子体源组件，其中所述第一细长槽基本上平行并邻近于所述阻隔板的所述第一侧，所述第二细长槽基本上平行并邻近于所述阻隔板的所述第二侧并具有在所述第一细长槽的长度的50％到80％的范围中的长度，且所述第三细长槽是在所述第一细长槽与所述第二细长槽之间并具有在所述第二细长槽的长度的50％到80％的范围中的长度。

13.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述阻隔板的所述内周端高于所述阻隔板的所述外周端，使得在位于邻近基板时，所述内周端较所述外周端离所述基板更远。

14.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述细长槽衬有介电材料。