[发明专利]处理装置和准直器

说明书

根据实施例的处理装置包括物体放置单元、源放置单元、整流构件以及电源。所述物体放置单元被配置为具有放置在其上的物体。所述源放置单元布置成与所述物体放置单元分开并且被配置为具有放置在其上的粒子源，所述粒子源能够朝着所述物体发射粒子。在从所述源放置单元至所述物体放置单元的第一方向上，所述整流构件布置在所述物体放置单元和所述源放置单元之间。所述电源被配置为向所述整流单元施加与所述粒子中的电荷的极性具有相同极性的电压。

技术领域

本发明的实施例涉及一种处理装置和准直器。

背景技术

例如，在半导体晶片上沉积金属的溅射装置包括对准待沉积的金属粒子的方向的准直器。准直器包括具有多个通孔的壁。准直器允许在基本上垂直于半导体晶片那样的待处理物体的方向上飞行的粒子通过，并且阻挡倾斜飞行的粒子。

引文列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开No.2006-328456

发明内容

本发明要解决的问题

倾斜飞行的粒子的生成可能降低了粒子的使用率。

解决问题的手段

根据实施例的处理装置包括物体放置单元、源放置单元、整流构件以及电源。所述物体放置单元被配置为具有放置在其上的物体。所述源放置单元布置成与所述物体放置单元分开并且被配置为具有放置在其上的粒子源，所述粒子源能够朝着所述物体发射粒子。所述整流构件被配置为沿着从所述源放置单元到所述物体放置单元的第一方向上布置在所述物体放置单元与所述源放置单元之间。所述电源被配置为向所述整流构件施加与所述粒子中的电荷的极性具有相同极性的电压。

附图说明

图1是示意性示出了根据第一实施例的溅射装置的截面图。

图2是根据第一实施例的准直器的平面图。

图3根据第一实施例的溅射装置的一部分的截面图。

图4是根据第一实施例的溅射装置的示范性硬件配置的方框图。

图5是示意性示出了根据第一实施例的准直器的一部分的截面图。

图6是示意性示出了根据第一实施例的反射器的一部分的截面图。

图7是根据第一实施例的变型的溅射装置的一部分的截面图。

图8是根据第二实施例的准直器的一部分的截面图。

图9是根据第三实施例的准直器的一部分的截面图。

图10是示意性示出了根据第四实施例的溅射装置的一部分的截面图。

图11是根据第五实施例的准直器的截面图。

图12是根据第五实施例的准直器的一部分的截面图。

图13是根据第五实施例的变型的准直器的一部分的截面图。

图14是根据第六实施例的准直器的截面图。

图15是根据第七实施例的准直器的平面图。

图16是根据第七实施例的准直器的一部分的截面图。

具体实施方式

下面参考图1至图6来描述第一实施例。在本说明书中，通常将竖直向上方向定义为向上，将竖直向下方向定义为向下。在本说明书中，利用多种表述来描述实施例的部件以及部件的解释。也可以利用其它未使用的表述来描述利用多种表述描述的部件和解释。此外，也可以利用其它未使用的表述来描述未利用多种表述描述的部件和解释。