[发明专利]用于等离子体反应器的远程等离子体与电子束生成系统

权利要求书

1.一种等离子体处理腔室，包括：

腔室主体；

盖，所述盖围住所述腔室主体的内部空间；

衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述内部空间中；

双电感耦合源，所述双电感耦合源包括通过所述盖耦接至所述腔室主体的线圈天线组件；

远程等离子体源，所述远程等离子体源通过所述盖耦接至所述腔室主体；

限制环，所述限制环环绕所述衬底支撑件的周围区域；以及

过滤板，所述过滤板设置在所述限制环下方，与所述限制环呈间隔开的关系，且环绕所述衬底支撑件的所述周围区域。

2.如权利要求1所述的腔室，还包括：

双偏压电源，所述双偏压电源耦接至所述衬底支撑件。

3.如权利要求2所述的腔室，其中所述双偏压电源包括电容耦合偏压源。

4.如权利要求1所述的腔室，还包括：

形状偏压源，所述形状偏压源耦接至所述衬底支撑件。

5.如权利要求1所述的腔室，还包括：

电子束生成系统，所述电子束生成系统配置在所述腔室主体的所述内部空间中。

6.如权利要求5所述的腔室，其中所述电子束还包括：

电子束生成源；以及

电子束收集器，所述电子束收集器定位在所述内部空间中的所述电子束生成源的相对处且面向所述电子束生成源。

7.如权利要求6所述的腔室，还包括：

电子收集器电压源，所述电子收集器电压源耦接至所述电子束收集器。

8.如权利要求6所述的腔室，还包括：

束电压供应器，所述束电压供应器耦接至所述电子束生成源。

9.如权利要求1所述的腔室，其中所述过滤板由石英制造。

10.如权利要求1所述的腔室，还包括：

衬垫，所述衬垫形成在所述腔室主体的内壁上。

11.如权利要求1所述的腔室，进一步包括：

挡板，所述挡板配置在所述盖下方且通过RF馈通件耦接至所述远程等离子体源。

12.一种等离子体处理腔室，包括：

腔室主体；

盖，所述盖围住所述腔室主体的内部空间；

衬底支撑件，所述衬底支撑件配置在所述内部空间中；

双电感耦合源，所述双电感耦合源包括通过所述盖耦接至所述腔室主体的线圈天线组件；

电子束生成系统，所述电子束生成系统配置在所述腔室主体的所述内部空间中且邻近所述腔室主体中的内壁；

限制环，所述限制环环绕所述衬底支撑件的周围区域；以及

过滤板，所述过滤板配置在所述限制环下方，与所述限制环呈间隔开的关系，且环绕所述衬底支撑件的所述周围区域。

13.一种用于操作根据权利要求1-12中的任一项所述的等离子体处理腔室的方法，包括下述步骤：

在所述等离子体处理腔室中界定的内部空间中从所述双电感耦合等离子体源生成等离子体，所述双电感耦合等离子体源由所述线圈天线组件形成；

在生成所述等离子体的同时，于所述等离子体处理腔室的所述内部空间中生成电子束；以及

在所述等离子体处理腔室的所述内部空间中生成所述电子束的同时，将所述远程等离子体源引导至分布在所述等离子体处理腔室的所述内部空间中的所述等离子体。