[发明专利]光转换材料

权利要求书

1.光转换材料，其包含半导体纳米粒子及未活化的结晶材料，其中该半导体纳米粒子位于该未活化的结晶材料的表面上。

2.根据权利要求1的光转换材料，其特征在于该未活化的结晶材料是选自由以下各项组成的列表的无机发光体的基质材料：未活化的结晶金属氧化物，未活化的结晶硅酸盐及含卤硅酸盐，未活化的结晶磷酸盐及含卤磷酸盐，未活化的结晶硼酸盐及硼硅酸盐，未活化的结晶铝酸盐、镓酸盐及铝硅酸盐，未活化的结晶钼酸盐及钨酸盐，未活化的结晶硫酸盐、硫化物、硒化物及碲化物，未活化的结晶氮化物及氮氧化物，未活化的结晶SiAlON和选自以下的其他未活化的结晶材料：未活化的结晶复合金属-氧化合物、未活化的结晶卤素化合物及未活化的结晶含氧化合物，例如优选硫氧化物或氯氧化物。

3.根据权利要求2的光转换材料，其特征在于该未活化的结晶金属氧化物选自由以下各项组成的列表：M²⁺O、M³⁺₂O₃及M⁴⁺O₂；其中M²⁺是Zn、Fe、Co、Ni、Cd、Cu和/或一种或多种碱土金属，优选Be、Mg、Ca、Sr和/或Ba；M³⁺是Al、Ga、Sc、Y、La和/或一种或多种选自以下的稀土金属：Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu；且M⁴⁺是Ti、Zr、Ge、Sn和/或Th。

4.根据权利要求2或3的光转换材料，其特征在于该未活化的结晶硅酸盐或含卤硅酸盐选自由以下各项组成的列表：M²⁺SiO₃、M²⁺₂SiO₄、M²⁺₂(Si,Ge)O₄、M²⁺₃SiO₅、M³⁺₂SiO₅、M³⁺M⁺SiO₄、M²⁺Si₂O₅、M²⁺₂Si₂O₆、M²⁺₃Si₂O₇、M²⁺₂M⁺₂Si₂O₇、M³⁺₂Si₂O₇、M²⁺₄Si₂O₈、M²⁺₂Si₃O₈、M²⁺₃M³⁺₂Si₃O₁₂、M⁺M³⁺M²⁺₄Si₄O₁₀、M⁺M²⁺₄M³⁺Si₄O₁₄、M²⁺₃M³⁺₂Si₆O₁₈、M³⁺SiO₃X、M²⁺₃SiO₄X₂、M²⁺₅SiO₄X₆、M⁺₂M²⁺₂Si₄O₁₀X₂、M²⁺₅Si₄O₁₀X₆、M⁺₂SiX₆、M²⁺₃SiO₃X₄和M²⁺₉(SiO₄)₄X₂；其中M⁺是一种或多种碱金属，优选Li、Na和/或K；M²⁺是Zn、Fe、Co、Ni、Cd、Cu和/或一种或多种碱土金属，优选Be、Mg、Ca、Sr和/或Ba；M³⁺是Al、Sc、Y、La和/或一种或多种选自以下的稀土金属：Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu；且X是一种或多种卤素，优选F、Cl、Br和/或I。