[发明专利]用于材料移除的半导体装置处理方法

权利要求书

1.一种从半导体装置移除材料的方法，包括：

提供半导体基材，所述半导体基材包括长度L、第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

在所述半导体基材的所述第一表面上方形成材料层；

提供输送器；

提供设置在所述输送器上方的第一空气刀；

提供设置在所述输送器上方并与所述第一空气刀偏移距离D的第二空气刀，所述距离D小于所述半导体基材的所述长度L；

将所述半导体基材放置在所述输送器上，其中所述材料层取向成背离所述输送器，所述半导体基材被放置在所述输送器上在所述第一空气刀之前并且在所述第二空气刀之前；

使所述半导体基材沿所述输送器并且在所述第一空气刀下方前进，使得所述半导体基材的一部分设置在所述第一空气刀与所述第二空气刀之间；

通过将蚀刻溶液分配到所述半导体基材的设置在所述第一空气刀与所述第二空气刀之间的所述部分上方的所述材料层上来形成蚀刻溶液池；

用所述蚀刻溶液池来蚀刻设置在所述第一空气刀与所述第二空气刀之间的所述材料层的一部分；以及

通过使所述半导体基材沿所述输送器移动并经过所述第二空气刀来从所述半导体基材的所述表面移除所述蚀刻溶液池以及被所述蚀刻溶液池蚀刻的所述材料层的至少一部分，其中所述蚀刻溶液池以在每分钟50至100毫米范围内的速率跨所述半导体基材移动，以向所述材料层提供充分时间以及对所述蚀刻溶液池的充分暴露以在15至300秒内完全移除。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体基材包括原生半导体晶圆、重构半导体晶圆或板材，且其中所述重构半导体晶圆包括扇出晶圆，所述板材包括嵌入式晶粒板、芯片载体基材或印刷电路板(PCB)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一空气刀和所述第二空气刀由包括1mm至20mm的宽度和大于200mm的长度的空气流形成，其中所述空气流以大于或等于每秒0.1米的速度移动。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一空气刀和所述第二空气刀搅动待被移除的所述材料层上的所述蚀刻溶液池以改善蚀刻。

5.一种从半导体基材上方移除材料层的至少一部分的方法，包括：

将蚀刻溶液分配在所述半导体基材上方以在所述半导体基材上方的所述材料层上形成蚀刻溶液池，其中所述蚀刻溶液池的覆盖区小于所述半导体基材的覆盖区；

进行使所述蚀刻溶液池相对于所述半导体基材移动或使所述半导体基材相对于所述蚀刻溶液池移动中的至少一者；

用至少一个空气刀在所述半导体基材上限定所述蚀刻溶液池的池边界，使得所述蚀刻溶液池在所述蚀刻溶液池的所述覆盖区内蚀刻所述半导体基材上方的所述材料层；以及

用所述至少一个空气刀移除所述蚀刻溶液以及被所述蚀刻溶液池蚀刻的所述材料层的至少一部分，其中所述蚀刻溶液池以在每分钟50至100毫米范围内的速率跨所述半导体基材移动，以向所述材料层提供充分时间以及对所述蚀刻溶液池的充分暴露以在15至300秒内完全移除。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述半导体基材包括原生半导体晶圆、重构半导体晶圆或板材，且其中所述重构半导体晶圆包括扇出晶圆，所述板材包括嵌入式晶粒板、芯片载体基材或印刷电路板(PCB)。

7.根据权利要求5所述的方法，其中进行使所述蚀刻溶液池相对于所述半导体基材移动或使所述半导体基材相对于所述蚀刻溶液池移动中的至少一者进一步包括将所述半导体基材放置在使所述半导体基材相对于所述至少一个空气刀的固定位置移动的输送器上。

8.根据权利要求5所述的方法，其中进行使所述蚀刻溶液池相对于所述半导体基材移动或使所述半导体基材相对于所述蚀刻溶液池移动中的至少一者进一步包括使所述至少一个空气刀相对于所述半导体基材的固定位置移动。