[发明专利]沟槽电容器和用于制造沟槽电容器的方法

权利要求书

1.一种用于制造沟槽电容器（2）的方法，所述方法具有如下步骤：

提供衬底（200），所述衬底具有正面（201）和背面（202）；

在所述衬底（200）的所述正面（201）上产生具有沟槽（210）的沟槽结构；

在所述衬底（200）的所述正面（201）上并且在所述衬底（200）的所述沟槽（210）中沉积绝缘介电层（220）；

在所述衬底（200）的所述背面（202）上施加结构（240）；

将第一电极（230）施加到沉积在所述衬底（200）的所述正面（201）上并且沉积在沟槽结构（210）中的绝缘介电层（220）上；

将第二电极（250）施加到所述衬底（200）的配备有所述结构（240）的所述背面（202）上，

其中所述结构（240）具有缺口（245），使得所述第二电极（250）在所述缺口（245）的区域内接触所述衬底（200）的所述背面（202），

其中所述结构（240）具有网络形或网格形结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中施加到所述衬底（200）的所述背面（202）上的结构（240）由与沉积在所述衬底（200）的所述正面（201）上的所述绝缘介电层（220）相同的材料组成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述结构（240）或者第二层在与将所述绝缘介电层（220）沉积在所述衬底（200）的所述正面（201）上相同的工艺步骤或者紧邻的工艺步骤中实现，其中由所述第二层产生在所述衬底（200）的背面（202）上的所述结构（240）。

4.根据上述权利要求1-3之一所述的方法，其中所述结构（240）通过构造沉积在所述衬底（200）的所述背面（202）上的第二层来产生。

5.根据权利要求4所述的方法，在构造的步骤中将所述第二层部分地除去。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述构造的步骤中，所述第二层部分地通过蚀刻来除去，并且留下的结构在蚀刻之前以光刻方式来掩蔽。

7.根据上述权利要求1-3之一所述的方法，其中所述结构（240）所具有的网络或网格结构具有朝至少两个彼此不同的方向贯穿的网格线。

8.一种沟槽电容器（2），所述沟槽电容器根据上述权利要求之一所述的方法来制造，所述沟槽电容器具有：

具有正面（201）和背面（202）的衬底（200）；

在所述衬底（200）的正面（201）上的包括沟槽（210）的沟槽结构；

布置在所述正面（201）和所述沟槽（210）的表面（211、212、213）上的绝缘介电层（220）；

布置在所述绝缘介电层（220）上的第一电极（230）；

布置在所述衬底（200）的背面（202）上的结构（240），所述结构具有缺口（245）；以及布置在所述结构（240）上和布置在所述结构的缺口（245）中的第二电极（250），所述第二电极在所述缺口（245）的区域内接触所述衬底（200）的所述背面（202），

其中所述结构（240）具有网络形或网格形结构。