[发明专利]用于大规模MIMO的模拟处理系统

权利要求书

1.一种多输入多输出MIMO收发器装置(200，300)，包括多个可移除的模拟处理子系统，所述模拟处理子系统可操作地连接到至少一个基带处理子系统，

其中，多个所述模拟处理子系统包括第一数量的模拟处理子系统，其中，所述至少一个基带处理子系统包括第二数量的基带处理子系统，并且其中，所述第一数量超过所述第二数量，

每个模拟处理子系统包括至少一个天线(202，302)、双工器(202a，302a)、至少一个功率放大器(203a，203b)、至少一个混频器(204a，204b，304a，304b)和可连接到基带处理子系统的接口，

其中，所述至少一个混频器(204a，204b，304a，304b)适于对接收到的模拟射频信号进行下变频并同相/正交IQ解调，以提供接收到的模拟基带信号，并对发送模拟基带信号进行IQ调制和上变频，以提供发送模拟射频信号，所述接收到的模拟射频信号由所述至少一个天线(202，302)接收，所述发送模拟基带信号将由所述至少一个天线(202，302)发送，

其中，所述至少一个混频器(204a，204b，304a，304b)包括至少一个输入端子(201a，301a)和至少一个输出端子(201b，301b)，所述至少一个输入端子(201a，301a)连接到所述接口的输入端子，以获取所述发送模拟基带信号，所述至少一个输出端子(201b，301b)连接到所述接口的输出端子，以提供所述接收到的模拟基带信号，

其中，所述至少一个天线(202，302)直接连接到所述双工器(202a，302a)，所述双工器(202a，302a)直接连接到所述至少一个功率放大器(203a，203b，303a，303b)，所述至少一个功率放大器(203a，203b，303a，303b)直接连接到所述至少一个混频器(204a，204b，304a，304b)，并且所述至少一个混频器(204a，204b，304a，304b)直接连接到所述接口，

其中，所述模拟处理子系统被包括在单个模拟射频处理芯片(201，301)上，并且

其中，所述模拟射频处理芯片(201，301)包括所述模拟射频处理芯片的至少一侧上的金属化层，并且其中，所述金属化层包括所述至少一个天线(202，302)的集成，

其中，所述金属化层形成与键合线集成的天线结构，并且其中所述天线结构适于将所述模拟处理子系统与辐射隔离。

2.根据权利要求1所述的多输入多输出MIMO收发器装置(200，300)，其中，所述至少一个天线(202，302)仅由一个天线组成。

3.根据权利要求2所述的多输入多输出MIMO收发器装置(200，300)，其中，所述至少一个混频器(204a，204b，304a，304b)和所述至少一个功率放大器(203a，203b，303a，303b)以功率放大器工艺被集成到所述单个模拟射频处理芯片(201，301)。

4.根据权利要求3所述的多输入多输出MIMO收发器装置(200，300)，其中，所述功率放大器处理是以下工艺至少其中之一：砷化镓假晶高电子迁移率晶体管PHEMT-GaAs工艺、砷化镓异质结双极晶体管GaAs-HBT工艺、硅锗双极互补金属氧化物半导体SiGe Bi-CMOS工艺、绝缘体上硅SOI工艺、完全耗尽SOI-FDSOI工艺以及Si-CMOS工艺。

5.根据权利要求1所述的多输入多输出MIMO收发器装置(200，300)，其中，所述天线结构被提供在所述模拟射频处理芯片(201，301)的第一侧上，其中，所述第一侧是所述模拟射频处理芯片(201，301)的电路侧。

6.根据权利要求1所述的多输入多输出MIMO收发器装置(200，300)，其中，所述天线结构被提供在所述模拟射频处理芯片的第二侧，其中，所述第二侧与所述模拟射频处理芯片的电路侧相对。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的多输入多输出MIMO收发器装置(200，300)，其中，所述天线结构适于操作为到波导的连接器。