[发明专利]用于并行读和写操作的系统、方法和器件有效

专利信息
申请号: 201680049948.3 申请日: 2016-08-29
公开(公告)号: CN107924364B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 维尼特·阿格拉瓦尔;罗杰·贝特曼;塞缪尔·莱什纳 申请(专利权)人: 经度快闪存储解决方案有限责任公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G11C11/21;G11C11/34;G11C16/02;G11C16/04
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇
地址: 爱尔兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 并行 操作 系统 方法 器件
【说明书】:

本文公开了用于并行读和写操作的系统、方法和器件。器件可以包括耦合到局部位线和与存储器阵列的存储器单元相关联的全局位线的第一传输器件。第一传输器件可以被配置为选择性地将全局位线耦合到局部位线。器件还可以包括耦合到局部位线和感测放大器的第一器件。第一器件可以被配置为选择性地将局部位线耦合到感测放大器。器件还可以包括耦合到局部位线和电接地的第二器件。第二器件可以被配置为选择性地将局部位线耦合到电接地。

相关申请的交叉引用

本申请是于2015年12月22日提交的第14/978,733号美国专利申请的国际申请,要求于2015年9月10日提交的第62/216,896号美国临时申请的权益,这两个专利申请通过引用以其整体合并于此。

技术领域

本公开一般涉及存储器,且更具体地,涉及与存储器相关联的读和写操作。

背景

存储器器件可以包括存储器单元阵列,其可以被配置为存储系统的各个其他组件的数据值的存储器组件。这样的存储器器件基于存储器地址以及与这样的存储器地址和存储器单元相关联的对应的行和列,来标识和访问这样的存储器单元。因此,存储器单元可以通过特定的存储器地址来标识,并且除其他之外,可以基于行和列解码器等来访问。而且,这样的存储器单元可以被划分成诸如扇区或页面的存储器单位。因此,与存储器单元相关联的地址也可以标识存储器单元驻留的存储器扇区。

附图简述

图1示出根据一些实施例配置的能够独立进行读和写操作的存储器器件的示例。

图2A示出根据各种实施例的被配置为实现独立读和写操作的开关逻辑的示例。

图2B示出根据各种实施例的被配置为实现独立的读和写操作的开关逻辑的另一示例。

图3示出了根据一些实施例的实施存储器操作的方法的示例的流程图。

图4示出了根据一些实施例的实施存储器操作的方法的另一示例的流程图。

图5示出了根据一些实施例实施的与低电压和高电压存储器操作相关联的周期时间的图示的示例。

图6示出了根据一些实施例实施的包括存储器器件的处理系统的框图。

详细描述

在以下的描述中,阐述了许多特定的细节,以便提供对所提出的概念的透彻的理解。可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实践所呈现的概念。在其他情况下,众所周知的处理操作没有被详细描述,以免不必要地模糊所描述的概念。虽然一些概念将结合特定示例进行描述,但要理解这些示例不旨在限制。

因为读操作不能与写操作并行地实施,用于在存储器器件中实施读和写操作的传统技术是独有的。例如,如果存储器扇区内的特定存储器单元正在经历写操作,则不可以在该存储器器件中包括的任何其他存储器扇区中的任何其他存储器单元上执行其它操作。例如,不能对包括在未经历写操作的其他不同存储器扇区中的其他存储器单元执行读操作。更具体地说,如果第一存储器单元正在经历写操作,则所有位线被驱动到范围从VPOS到VNEG的电势。因此,不同存储器扇区中的第二存储器单元不能经历读操作,因为其位线被驱动到范围从VPOS到VNEG的电压。为了实施读操作,第二存储器单元可能需要约0.6V的电压。因此,第二存储器单元必须等到第一存储器单元的写操作完成,然后才能在其局部位线上接收适当的电压。此外,诸如写操作的高电压操作可能生成可能损害可能已经被保留浮动的其他扇区中的存储器单元的漏电流和电压。

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