[发明专利]二维光子晶体面发射激光器有效

专利信息
申请号: 201680049443.7 申请日: 2016-08-25
公开(公告)号: CN108028511B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 野田进;北川均;田中良典 申请(专利权)人: 国立大学法人京都大学;罗姆股份有限公司;浜松光子学株式会社;三菱电机株式会社
主分类号: H01S5/18 分类号: H01S5/18;H01S5/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 韩聪
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 二维 光子 晶体 发射 激光器
【权利要求书】:

1.一种二维光子晶体面发射激光器,具有:二维光子晶体,在具有给定的大小的板状的母材内配置折射率与该母材不同的异折射率区域,该异折射率区域所被配置的位置为正方格子状、三角格子状或者长方格子状;活性层,设置在所述二维光子晶体的一侧;以及一对电极,夹着所述二维光子晶体以及所述活性层而设置,并对该活性层供给电流,所述二维光子晶体面发射激光器的特征在于,

该异折射率区域设置为,随着从作为所述电流通过该二维光子晶体的范围的电流通过范围的外缘朝向中央,所述母材中的异折射率区域的面内占有率变大。

2.根据权利要求1所述的二维光子晶体面发射激光器,其特征在于,

作为所述电流通过范围内的任意的面内位置处的面内占有率f(x,y)与所述外缘处的面内占有率fb之差的Δf(x,y)=f(x,y)-fb和作为该面内位置处的温度T(x,y)与所述外缘处的温度Tb之差的ΔT(x,y)=T(x,y)-Tb(>0)以正的比例系数成比例。

3.根据权利要求1或2所述的二维光子晶体面发射激光器,其特征在于,

所述异折射率区域设置为所述面内占有率从所述电流通过范围的中央呈同心状变小。

4.一种二维光子晶体面发射激光器,具有:二维光子晶体,在具有给定的大小的板状的母材内配置折射率与该母材不同的异折射率区域,该异折射率区域所被配置的位置为正方格子状、三角格子状或者长方格子状;活性层,设置在所述二维光子晶体的一侧;以及一对电极,夹着所述二维光子晶体以及所述活性层而设置,并对该活性层供给电流,所述二维光子晶体面发射激光器的特征在于,

所述异折射率区域配置为,随着从作为所述电流通过该二维光子晶体的范围的电流通过范围的外缘朝向中央,周期长度变小。

5.根据权利要求4所述的二维光子晶体面发射激光器,其特征在于,

作为所述电流通过范围内的任意的面内位置处的周期长度a(x,y)与所述外缘处的周期长度ab之差的Δa(x,y)=a(x,y)-ab和作为该面内位置处的温度T(x,y)与所述外缘处的温度Tb之差的ΔT(x,y)=T(x,y)-Tb(>0)以负的比例系数成比例。

6.根据权利要求4或5所述的二维光子晶体面发射激光器,其特征在于,

所述异折射率区域设置为所述周期长度从所述电流通过范围的中央呈同心状变大。

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