[发明专利]蚀刻液组合物以及蚀刻方法

说明书

本发明的目的在于，提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液的步骤的蚀刻方法，所述蚀刻液组合物能够对具有包含钛系层以及铜系层的层叠体的被蚀刻材料的钛系层以及铜系层一并进行蚀刻，即使连续使用，也能得到所期望的剖面形状的细线。为了达成上述目的，本发明提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液组合物的步骤的蚀刻方法，所述蚀刻液组合物包含：(A)过氧化氢0.1～15质量％；(B)氟化物离子供给源0.01～1质量％；(C)以有机磺酸换算计，由下述通式(I)表示的有机磺酸化合物或其盐0.1～20质量％；(D)由唑系化合物以及结构中具有含有一个以上的氮原子且具有三个双键的六元杂环的化合物中选择的至少一种化合物0.01～5质量％以及(E)水。(式中，R表示碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的羟基烷基、碳原子数6～10的芳基、碳原子数6～10的羟基芳基。)。

技术领域

本发明涉及一种用于对位于基体上并包含至少一种钛系层以及至少一种铜系层的层叠体的钛系层和铜系层一并进行蚀刻的蚀刻液组合物、以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。

背景技术

已知：对于以平板显示器等为代表的显示设备的布线材料而言，为了满足显示器的大型化以及高分辨率化之类的要求，而采用由铜构成的布线、以铜为主要成分的布线，并用地使用以钛、氮化钛等为代表的钛系金属来作为阻隔膜(barrier films)。已知涉及铜和钛系的多层覆膜的湿蚀刻的各种技术。

例如，在专利文献1中，公开了一种蚀刻液，其包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇系化合物以及唑系化合物，并能够对含钛以及铜的双层膜进行蚀刻。此外，在专利文献2中，公开了一种蚀刻液，其包含氟离子供给源、过氧化氢、硫酸盐、磷酸盐、唑系化合物以及溶剂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2013-522901号公报

专利文献2：日本特开2008-288575号公报

发明内容

发明所要解决的问题

对于用于布线等的细线的剖面形状，优选为细线下部的宽度比细线上部的宽度大的剖面形状。已知在为这样的剖面形状的情况下，难以发生细线损坏。然而，会存在以下的问题：例如，在通过对在基体上层叠有至少一种钛系层和至少一种铜系层的层叠体的钛系层和铜系层一并进行蚀刻，形成由在基体上层叠有钛系层和铜系层的层叠体构成的细线时，在连续使用上述所公开的蚀刻液的情况下，溶出的铜会溶入蚀刻液中而使蚀刻液中的铜浓度上升，由此，变得无法得到所期望的剖面形状的细线。

因此，本发明的目的在于解决上述问题。就是说，本发明的目的在于，提供一种蚀刻液组合物，其在对基体上层叠有至少一种钛系层和至少一种铜系层的层叠体的钛系层和铜系层一并进行蚀刻时，即使在通过连续使用同一蚀刻液而使蚀刻液中的铜浓度上升的情况下，也能得到所期望的剖面形状的细线，而且通过蚀刻处理所产生的细线的变细幅度(細り幅)小。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述问题而反复进行了深入研究，结果发现以下这种蚀刻液组合物能解决上述问题，而完成了本发明，所述蚀刻液组合物包含：(A)过氧化氢0.1～15质量％；(B)氟化物离子供给源0.01～1质量％；(C)以有机磺酸换算计，由下述通式(I)表示的有机磺酸或其盐0.1～20质量％；(D)由唑系化合物以及结构中具有含有一个以上的氮原子且具有三个双键的六元杂环的化合物中选择的至少一种化合物0.01～5质量％；以及(E)水。

(式中，R表示碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的羟基烷基、碳原子数6～10的芳基、碳原子数6～10的羟基芳基。)