[发明专利]传导阻障直接混合型接合

权利要求书

1.一种形成直接混合型接合表面的方法，其包括：

在第一基板的上表面中形成多个第一金属接触结构，其中所述多个第一金属接触结构的顶面是在该上表面之下；

在该上表面和所述多个第一金属接触结构上方形成传导阻障材料做的第一层，传导阻障材料做的该第一层包括在该上表面之上的第一暴露部分；以及

从该上表面移除传导阻障材料做的该第一层的该第一暴露部分，而留下传导阻障材料做的该第一层的第二暴露部分于所述多个金属接触结构上以设置形成该直接混合型接合表面，传导阻障材料做的该第一层的该第二暴露部分包括在该上表面之下的暴露顶面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述移除之后，所述多个第一金属接触结构上的该传导阻障材料的该暴露顶面是在该基板的该上表面之下小于20奈米。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述移除之后，所述多个第一金属接触结构上的该传导阻障材料的该暴露顶面是在该基板的该上表面之下1～10奈米的范围。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在该上表面之下5～40奈米形成所述多个第一金属接触结构的该顶面，其中，在所述移除之后，所述多个第一金属接触结构上的该传导阻障材料的该暴露顶面是在该上表面之下1～10奈米。

5.根据权利要求1的所述的方法，其包括：

在所述金属接触结构的底部和侧面上形成传导阻障材料做的第二层。

6.根据权利要求5的所述的方法，其包括：

形成传导阻障材料做的所述第一和所述第二层以完全包围所述多个第一金属接触结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在该基板上的介电层中形成所述多个第一金属接触结构。

8.一种接合基板的方法，其包括：

在第一基板和第二基板的个别上表面中形成多个第一金属接触结构和多个第二金属接触结构，其中所述多个第一金属接触结构的第一顶面是在该第一基板的该上表面之下，并且所述多个第二金属接触结构的第二顶面是在该第二基板的该上表面之下；

在个别的所述上表面和所述多个第一金属接触结构和所述第二多个第二金属接触结构及所述第一基板和所述第二基板上方形成传导阻障材料做的个别的第一层，传导阻障材料做的个别的所述第一层包括在所述第一基板和所述第二基板的个别的所述上表面之上的个别的第一暴露部分；

从所述第一基板和所述第二基板的所述上表面移除传导阻障材料做的该第一层的所述第一暴露部分，以在所述多个第一金属接触结构和所述多个第二金属接触结构上留下该传导阻障材料的个别的第二暴露部分，传导阻障材料做的所述第一层的所述第二暴露部分包括在个别的所述上表面之下的暴露顶面；

将所述第一基板的所述上表面直接接合到所述第二基板的所述上表面；以及

将在所述多个第一金属接触结构上的所述传导阻障材料的剩余部分直接接合到在所述多个第二金属接触结构上的所述传导阻障材料的对应的剩余部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其包括：

在所述第一和第二基板的所述上表面之下5～40奈米分别形成所述第一顶面和所述第二顶面，其中，在所述移除之后，所述多个第一金属接触结构和所述多个第二金属接触结构上的该传导阻障材料的顶面分别是在所述第一上表面和所述第二上表面之下1～10奈米。

10.根据权利要求8所述的方法，其包括：

在所述多个第一金属接触结构和所述多个第二金属接触结构的底部和侧面上形成传导阻障材料做的个别的第二层。

11.(原始).根据权利要求10所述的方法，其包括：

形成传导阻障材料做的所述第一层和所述第二层以完全包围所述金属接触结构。