[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，包括：

基底基板，包括穿透所述基底基板的散热插塞；

阻焊层，设置在所述基底基板和所述散热插塞上，所述阻焊层限定对应于所述散热插塞的开口区域；

管芯，置于所述基底基板上，所述管芯包括半导体器件；

焊料凸起，置于所述开口区域中，在所述散热插塞和所述管芯的面向所述基底基板的表面之间，并被配置为将所述管芯中产生的热向外部排出；

接合图案，置于所述管芯和所述焊料凸起之间并与所述半导体器件电断开，所述接合图案的区域对应于所述开口区域；以及

焊球，置于所述管芯的与所述表面相对的另一表面上，并被配置为向外部器件传输由所述管芯的所述半导体器件产生的信号。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，在所述管芯中产生并通过所述焊料凸起向外部排出的热的方向与所述管芯中的所述半导体器件产生并通过所述焊球向外部器件传输的信号的方向彼此反向平行。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述散热插塞连接到所述焊料凸起。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述焊料凸起包括与所述管芯相邻的第一部分和与所述散热插塞相邻的第二部分，并且

所述第一部分的宽度小于所述第二部分的宽度。

5.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，设置有多个所述散热插塞，并且

所述焊料凸起连接到所述多个散热插塞。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述接合图案提供所述管芯和所述焊料凸起之间的界面。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其中所述阻焊层的所述开口区域具有与所述接合图案相对应的形状。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述基底基板具有板形形状。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述基底基板包括空腔，并且所述管芯位于所述空腔中。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述基底基板还包括连接插塞，并且

电连接到所述连接插塞的附加管芯置于所述管芯上。

11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，还包括与所述管芯相邻的邻近管芯，

其中，所述管芯和所述邻近管芯彼此电连接。

12.一种半导体封装结构，包括：

基底基板；

管芯，置于所述基底基板上，所述管芯包括半导体器件；

散热插塞，置于所述管芯的面向所述基底基板的表面上，并被配置为将所述管芯中产生的热向外部排出，所述散热插塞穿透所述基底基板；

阻焊层，设置在所述基底基板和所述散热插塞上，所述阻焊层限定对应于所述散热插塞的开口区域；

接合图案，设置在所述管芯和所述开口区域之间；

重新分配层，设置在所述管芯的与所述表面相对的另一表面上，所述重新分配层包括电连接到所述半导体器件的互连线；以及

焊球，置于所述重新分配层上，电连接到所述重新分配层的所述互连线，并被配置为向外部器件传输由所述管芯的所述半导体器件产生的信号。

13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中，在所述管芯中产生并通过所述散热插塞向外部排出的热的方向与所述管芯中的所述半导体器件产生并通过所述焊球向外部器件传输的信号的方向彼此反向平行。