[发明专利]一种用于减弱电压转换器中的开关阶段的电路有效

专利信息
申请号: 201680046267.1 申请日: 2016-06-29
公开(公告)号: CN108028596B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: J-M.西尔;J.徐;M.埃尔雅库比;J.理查德 申请(专利权)人: TM4股份有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M3/04;H02M7/44
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 史新宏
地址: 加拿大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 减弱 电压 转换器 中的 开关 阶段 电路
【说明书】:

本公开涉及一种用于将来自电源的电流提供到负载的电路。换向单元包括主开关,该主开关控制由电源施加到负载的电压。当负载通过主开关与电源断开时,反向开关保持负载中的电流。当主开关再次将负载连接到电源时,反向开关将负载电流返回到主开关。所公开的电路配置减少了恢复电流、损耗和电磁损耗。同步控制器控制主开关和反向开关(opposite switch)的断开和闭合顺序。所公开的电路可以提供DC‑DC电压转换器。组合两个这样的电路可以提供DC‑AC电压转换器。

技术领域

电力电子技术领域本公开涉及电力电子领域。更具体地,本公开涉及用于减弱电压转换器中的开关阶段的电路。

背景技术

换向单元通常用在需要电压源转换的电子系统中,包括DC-DC和DC-AC转换器。这些换向单元是基于使用电力电子开关,例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。图1是MOSFET的示意图。所示出的MOSFET 10具有漏极、栅极和源极,并且由经由栅极电阻器RG连接到栅极的栅极驱动器14施加的信号12来控制。众所周知,MOSFET 10包括寄生(或杂散)电容,例如漏极和栅极之间的CGD,栅极和源极之间的CGS以及漏极和源极之间的CDS。通常将电容CGD、CGS和CDS的总和称为MOSFET 10的输出电容COSS。在漏极和源极之间存在寄生二极管Dp。当电流从漏极到源极在MOSFET 10中流动时,电流可以在二极管Dp中以相反的方向流动。MOSFET 10与电路的连接在其漏极产生寄生电感LD,在其源极产生LS

MOSFET 10的寄生元件的存在极大地影响了其开关动作。MOSFET 10是本领域普通技术人员所熟知的,在此不再赘述。

图2是常规的基于MOSFET的DC-DC转换器的电路图。在电路20中,来自具有电压Vin的电源22的电力被转换成施加到负载(在图2中被示为LOAD)的另一个DC电压。LOAD可以由纯电阻元件组成,或者也可以包括电容和/或电感元件。与LOAD并联放置的电容器Cout以及与LOAD串联放置的电感器Lout形成滤波器,该滤波器对反向二极管Do两端的电压进行平均,这将在下文中进行描述,使得LOAD上的电压保持相当恒定。

电路20包括换向单元和控制部件(在下面详细描述),并且控制由电源22施加到LOAD的电压。电路20的换向单元包括主开关Qm,例如其可以由通过栅极驱动器(未示出,但在图1中示出)控制的MOSFET或类似电力电子开关以及反向二极管Do组成。换向单元还包括与电源22并联的等效电源电容器(未示出)和用于在LOAD中流动的电流Iout的等效电流源(未具体示出)。

当主开关Qm被断开时,电流Iout从LOAD通过反向二极管Do流出,并返回到LOAD,如箭头202和204所示。当主开关Qm被闭合时,电流Iout流动通过主开关Qm和电源22,并返回到LOAD,如箭头206、208和再次204所示。当主开关Qm被闭合时,其漏极和源极之间的电压为零(或基本上为零),整个电压Vin,例如450伏直流,被施加在反向二极管Do两端。然而,其目的是使用图2的电路将受控的DC电压施加到LOAD,该受控的DC电压低于电源22的电压Vin。为此,换向单元快速地接通和断开,并且换向单元的占空比控制施加到LOAD的有效电压。施加在LOAD上的电压等于占空比乘以电源22的电压Vin

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