[发明专利]用于半导体掩模检验的基于多边形的几何分类有效
| 申请号: | 201680045352.6 | 申请日: | 2016-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN108351596B | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
| 发明(设计)人: | 徐寅;顾文斐(亚历克斯);石瑞芳 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/26;H01L21/033;H01L21/66 |
| 代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 张世俊 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 分组 设计数据库 检测 特征类别 掩模 半导体掩模 合拢 顶点定义 覆盖区域 光刻掩模 几何分类 几何约束 内部边缘 特征分类 邻接 检验 制作 自由 | ||
1.一种用于提供特征分类以用于光刻掩模的检验的方法,所述方法包括:
提供用于制作掩模的设计数据库,其中所述设计数据库具有多个多边形,其中一组顶点定义每个多边形;
将彼此邻接的所述多边形中的任一者分组;
将任何经分组多边形合拢在一起以便消除每一组经分组多边形的内部边缘以获得与此组经分组多边形的覆盖区域对应的多边形;
提供规定用于检测多个特征类别的要求的几何约束,所述几何约束包括用于不同检验要求的多个几何类别,所述检验要求针对利用所述设计数据库制作的掩模的缺陷检测;
在对所述设计数据库执行所述合拢之后,基于所述几何约束而检测所述设计数据库的所述多边形中的多个特征类别,其中不同特征类别是针对满足不同几何约束的不同多边形而检测;及
在利用所述设计数据库制作的掩模的检验中,基于所述设计数据库中的所述所检测特征类别来检测缺陷。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述几何约束包含用于检测凸结特征的角度约束、边缘长度约束及内部区域约束。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述边缘长度约束规定所述凸结特征的最大宽度、所述凸结特征的最大高度,及最小基底长度,所述凸结特征从所述最小基底长度延伸。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述几何约束包含用于将细线特征检测为具有小于预定义阈值的临界尺寸的约束。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述检验包括对候选缺陷的检测,其中所述特征类别是针对此类候选缺陷周围的区而选择性地检测,其中缺陷是基于经检测特征类别从所述候选缺陷中检测到的。
6.根据权利要求5所述的方法,其中针对所述候选缺陷周围的区而选择性地执行所述分组及所述合拢。
7.根据权利要求1所述的方法,其中检测特征类别是不受分辨率限制的,其中检测所述设计数据库的所述多边形中的多个特征类别是基于迭代地应用于每一组顶点的所述几何约束,其中所述几何约束包括用于应用到所述设计数据库的特征以确定所述特征的所属几何类别的规则。
8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括接收新几何约束,所述新几何约束由用户配置以被添加到所述几何约束。
9.根据权利要求1所述的方法,其中检测缺陷基于与在所述设计数据库中仅针对与此类特征相邻的特征而检测到的所述特征类别对应的多个阈值。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述几何约束包含用于检测凹口特征的角度约束、边缘长度约束及外部区约束,且其中所述边缘长度约束规定所述凹口特征的最大宽度、所述凹口特征的最大高度,及最小基底长度,所述凹口特征从所述最小基底长度延伸。
11.一种用于提供特征分类以用于光刻掩模的检验的检验系统,所述系统包括经配置以执行以下操作的至少一个存储器及至少一个处理器:
提供用于制作掩模的设计数据库,其中所述设计数据库具有多个多边形,其中一组顶点定义每个多边形;
将彼此邻接的所述多边形中的任一者分组;
将任何经分组多边形合拢在一起以便消除每一组经分组多边形的内部边缘以获得与此组经分组多边形的覆盖区域对应的多边形;
提供规定用于检测多个特征类别的要求的几何约束,所述几何约束包括用于不同的检验要求多个几何类别,所述检验要求针对利用所述设计数据库制作的掩模的缺陷检测;
在对所述设计数据库执行所述合拢之后,基于所述几何约束而检测所述设计数据库的所述多边形中的多个特征类别,其中不同特征类别是针对满足不同几何约束的不同多边形而检测;及
在利用所述设计数据库制作的掩模的检验中,基于所述设计数据库中的所述所检测特征类别来检测缺陷。
12.根据权利要求11所述的系统,其中所述几何约束包含用于检测凸结特征的角度约束、边缘长度约束及内部区约束。
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