[发明专利]金属氧化物纳米线的原位生长和催化纳米颗粒修饰

权利要求书

1.一种通过真空沉积系统制造经纳米颗粒修饰的纳米线的方法，所述真空沉积系统具有沉积室和与所述沉积室连接的聚集室，所述方法包括：

在所述沉积室中安放金属部件；

对氧气气氛下的所述沉积室中的所述金属部件进行热氧化，以在所述金属部件的表面上生长金属氧化物纳米线；

在不破坏所述真空沉积系统的真空的情况下，在与所述沉积室连接的所述聚集室中产生催化金属颗粒簇的蒸气；和

在不破坏所述真空沉积系统的真空的情况下，将所产生的催化金属颗粒簇输送到所述沉积室中，从而以由催化金属颗粒制成的催化金属纳米颗粒对所述金属氧化物纳米线进行修饰。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属部件是Cu线，并且所述金属氧化物纳米线是CuO纳米线。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述金属部件是在Si基材上形成的相互之间以间隙分隔的Cu图案对，并且

其中，所述进行热氧化的步骤生长出桥接在所述基材上的Cu图案对之间的所述间隙的CuO纳米线。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述催化金属纳米颗粒包括Pd纳米颗粒。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述催化金属纳米颗粒包括Ni/Pd双金属纳米颗粒。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述金属部件是Cu线，且金属氧化物纳米线是CuO纳米线，并且

其中，所述催化金属纳米颗粒包括Pd纳米颗粒。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述金属部件是Cu线，且金属氧化物纳米线是CuO纳米线，并且

其中，所述催化金属纳米颗粒包括Ni/Pd纳米颗粒。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述催化金属颗粒簇的蒸气通过线性磁控溅射在所述聚集室中产生。

9.一种通过真空沉积系统制造传感器装置的方法，所述真空沉积系统具有沉积室和与所述沉积室连接的聚集室，所述方法包括：

在基材上形成金属图案对，所述金属图案彼此相对，且各边缘以恒定的间隙相互平行；

在所述沉积室中安放其上具有所述金属图案对的所述基材；

对氧气气氛下的所述沉积室中的所述金属图案进行热氧化，以生长出桥接所述金属图案对之间间隙的金属氧化物纳米线；

在不破坏所述真空沉积系统的真空的情况下，在与所述沉积室连接的所述聚集室中产生催化金属颗粒簇的蒸气；和

在不破坏所述真空沉积系统的真空的情况下，将所产生的催化金属颗粒簇输送到所述沉积室中，从而以由催化金属颗粒制成的催化金属纳米颗粒对所述金属氧化物纳米线进行修饰。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述金属图案由Cu制成，并且金属氧化物纳米线为CuO纳米线。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述催化金属纳米颗粒包括Pd纳米颗粒。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述催化金属纳米颗粒包括Ni/Pd双金属纳米颗粒。

13.根据权利要求9所述的方法，

其中，所述金属图案由Cu制成，且金属氧化物纳米线是CuO纳米线，并且

其中，所述催化金属纳米颗粒包括Pd纳米颗粒。

14.根据权利要求9所述的方法，

其中，所述金属图案由Cu制成，且金属氧化物纳米线是CuO纳米线，并且

其中，所述催化金属纳米颗粒包括Ni/Pd纳米颗粒。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述催化金属颗粒簇的蒸气通过线性磁控溅射在所述聚集室中产生。

16.根据权利要求9所述的方法，其中，所述基材是Si基材。