[发明专利]等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，其利用等离子体对依次层叠有有机膜、掩模膜和抗蚀剂膜的被处理体进行处理，所述等离子体处理方法的特征在于，包括：

向放入了在所述抗蚀剂膜上形成有规定的图案的所述被处理体的腔室内供给改性气体的步骤，其中，所述改性气体为H2气体、卤化氢气体、包含稀有气体和H2气体的混合气体或者包含稀有气体和卤化氢气体的混合气体；和

改性步骤，在-20℃的处理温度下，利用所述改性气体的等离子体对所述被处理体的所述抗蚀剂膜进行改性。

2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，包括：

向所述腔室内供给蚀刻用的第一处理气体的步骤；和

第一蚀刻步骤，在0℃以上、40℃以下的处理温度下，利用所述第一处理气体的等离子体，以在所述改性步骤中被改性后的所述抗蚀剂膜为掩模，对所述掩模膜进行蚀刻。

3.如权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述第一处理气体包含含卤化合物气体，该含卤化合物气体包含含有CF键或者SF键的气体。

4.如权利要求2或3所述的等离子体处理方法，其特征在于，包括：

向所述腔室内供给蚀刻用的第二处理气体的供给步骤；和

第二蚀刻步骤，在-20℃以下的处理温度下，利用所述第二处理气体的等离子体，以在所述第一蚀刻步骤中被蚀刻后的所述掩模膜为掩模，对所述有机膜进行蚀刻。

5.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，包括：

向所述腔室内供给蚀刻用的第二处理气体的供给步骤；和

第二蚀刻步骤，在-20℃以下的处理温度下，利用所述第二处理气体的等离子体，以转印有在所述改性步骤中被改性后的所述抗蚀剂膜的图案的所述掩模膜为掩模，对所述有机膜进行蚀刻。

6.如权利要求4或5所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述第二处理气体包含稀有气体与含氧原子的气体的混合气体。