[发明专利]抗蚀剂剥离液

说明书

在半导体装置等的制造工艺中，避免在比以往高的温度下进行固化的抗蚀剂的固化不良。因此，需要比以往剥离力强的剥离液。一种抗蚀剂剥离液，其能够剥离经高温烘烤的抗蚀剂膜、也不引起对金属膜表面、截面的腐蚀，该抗蚀剂剥离液为：作为胺类，包含伯胺或仲胺中的至少一者；作为极性溶剂，包含2‑吡咯烷酮(2P)和1‑甲基‑2‑吡咯烷酮(NMP)中的至少一者、丙二醇(PG)、及水；作为添加剂，包含肼，所述胺类多于3质量％且为40质量％以下，所述丙二醇多于10质量％且不足40质量％，所述水多于5.0质量％且不足30.0质量％。

技术领域

本发明涉及用于将在液晶、有机EL等显示器装置、半导体的制造时使用的抗蚀剂膜剥离的剥离液，更详细而言涉及可以说即使为经硬烘(hard bake)的抗蚀剂膜也能够剥离、进而即使对铝膜及铜膜实质上也不使其腐蚀的抗蚀剂剥离液。

背景技术

液晶、有机EL(电致发光，Electro-Luminescence)等平板显示器(FPD)要求大画面。另一方面，作为笔记本PC、平板PC、智能手机用，要求小型高精细画面。作为大画面用，利用了使用了Cu布线或Cu/Mo层叠布线(以后也简称为“Cu布线”。)的TFT(薄膜晶体管，ThinFilm Transistor)。另外，作为小型高精细画面用，利用了使用了Al布线的TFT。需要说明的是，以下Cu也称为铜、Mo也称为钼、Al也称为铝。

面板制造商中，有时也在1个工厂内生产使用了Cu布线的TFT以及Cu布线和Al布线混合存在的TFT。在生产Cu布线和Al布线混合存在的TFT的情况下，如果在抗蚀剂膜的剥离工序中使用Al布线时和使用Cu布线时能够共用抗蚀剂剥离液，则能够削减生产成本及设备。

水系的正型光致抗蚀剂用剥离液通常为包含链烷醇胺、极性溶剂、水的组成，在抗蚀剂剥离装置内加热至40℃以上且50℃以下左右而使用。

链烷醇胺由于亲核作用而被认为是为了使正型光致抗蚀剂膜中的作为碱不溶化剂的DNQ(重氮萘醌)化合物的羰基在极性溶剂及水中可溶化必须的成分。链烷醇胺根据与氮元素键合的除了氢以外的取代基的数量而分类为伯、仲、叔。其中已知级数越小碱性越强，亲核性也越强。

因此，越是级数小的链烷醇胺，使作为碱不溶化剂的DNQ化合物在极性溶剂、水中可溶化的能力越强、越会发挥强力的抗蚀剂剥离性能(也称为“抗蚀剂剥离力”。)。

另一方面，已知链烷醇胺对Cu具有螯合作用。就对Cu的螯合作用而言，由于使Cu可溶化，因此会腐蚀Cu膜。对Cu的螯合作用与碱性、亲核性同样地，链烷醇胺的级数越小越强。因此，级数越小的链烷醇胺越强地腐蚀Cu膜。

在非晶硅(以后也称为“a-Si”。)、低温多晶硅(以后也称为“LTPS”。)、氧化物半导体(以后也称为“IGZO”。)等半导体的高精细用TFT的生产工艺中，存在在干蚀刻工序中抗蚀剂受到损伤而发生改性、剥离抗蚀剂变得困难的情况。认为这是因为构成正型抗蚀剂膜的DNQ化合物与酚醛清漆树脂的聚合过度地进行。

Al布线不受由链烷醇胺带来的腐蚀作用(螯合作用)。因此，为了将改性的抗蚀剂剥离，通常使用具有强力的抗蚀剂剥离性能的链烷醇伯胺。

另一方面，Cu布线的情况下，若使用链烷醇伯胺或链烷醇仲胺，则Cu布线的腐蚀往往发生到不可接受的程度。因此，提出了使用链烷醇叔胺的剥离液。链烷醇叔胺对Cu的螯合作用弱，能够将Cu膜的腐蚀抑制在没有实用上的问题的范围。但是，碱性、亲核性也与螯合作用同样地弱，与使用了链烷醇伯胺或链烷醇仲胺的抗蚀剂剥离液相比，有抗蚀剂剥离力弱的缺点。

在这样的技术背景下，要求具有与使用了链烷醇伯胺的Al布线用抗蚀剂剥离液同等以上的剥离性能、能够用于Cu布线、Al布线这两者的抗蚀剂剥离液组合物。

另外，专利文献1中公开了包含(1)式所示的化合物及溶剂的抗蚀剂剥离液。该抗蚀剂剥离液也可通用于Cu布线及Al布线的抗蚀剂剥离工序。