[发明专利]污垢抑制聚合物组合物、混合物和其使用方法在审

专利信息
申请号: 201680043218.2 申请日: 2016-07-29
公开(公告)号: CN107848851A 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 亚斯比尔·吉尔;桑塔努·班纳吉;约翰·胡多梅尔 申请(专利权)人: 艺康美国股份有限公司
主分类号: C02F5/10 分类号: C02F5/10;C02F5/12;C08F220/56;C08F220/06;C08F220/02;C02F5/08
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 蔡胜有,冷永华
地址: 美国明*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 污垢 抑制 聚合物 组合 混合物 使用方法
【权利要求书】:

1.一种污垢抑制聚合物混合物,包含:

水源;和

约0.05ppm到约200ppm的聚合物组合物,所述聚合物组合物包含:

约55mol%到约99mol%的第一单体,所述第一单体包含第一羧酸残基;和

约0.01mol%到约45mol%的第二单体,所述第二单体包含磺化的酸的残基或第二羧酸残基中的一种,其中所述第一单体化学上不同于所述第二单体。

2.根据权利要求1所述的污垢抑制聚合物混合物,其中所述第一单体占所述聚合物组合物的约85mol%到约97mol%,并且所述第二单体占所述聚合物组合物的约1mol%到约5mol%。

3.根据权利要求1或2所述的污垢抑制聚合物混合物,其中:

所述第一单体包含丙烯酸、顺丁烯二酸、甲基丙烯酸或前述任一酸的共轭碱的残基;并且

所述第二单体包含2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、顺丁烯二酸、甲基丙烯酸或前述任一酸的共轭碱的残基。

4.根据权利要求1或2所述的污垢抑制聚合物混合物,其中:

所述第一单体包含丙烯酸、顺丁烯二酸或前述任一酸的共轭碱或盐中的一种的残基;并且

所述第二单体包含磺基苯乙烯、甲基烯丙基磺酸盐或前述任一物质的共轭碱或盐中的一种的残基。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的污垢抑制聚合物混合物,进一步包含约0.01mol%到约10mol%的第三单体,其中所述第三单体包含磺化的酸或其共轭碱、第三羧酸或其共轭碱或者烷基化分子或其共轭碱中的一种的残基,其中所述第三单体化学上不同于所述第一单体和所述第二单体。

6.根据权利要求5所述的污垢抑制聚合物混合物,其中:

所述磺化的酸包含2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸或其共轭碱的残基;

所述第三羧酸包含衣康酸、巴豆酸或前述任一酸的共轭碱的残基;并且

所述烷基化分子包含叔丁基丙烯酰胺、二甲基丙烯酰胺或其共轭碱的残基。

7.根据权利要求5或6所述的污垢抑制聚合物混合物,进一步包含约0.01mol%到约10mol%的第四单体,其中所述第四单体包含第四羧酸或其共轭碱或者丙烯酰胺或其共轭碱中的一种的残基,其中所述第四单体化学上不同于所述第一单体、所述第二单体和所述第三单体。

8.根据权利要求7所述的污垢抑制聚合物混合物,其中:

所述第四羧酸或其共轭碱包含衣康酸、巴豆酸或前述任一酸的共轭碱中的一种的残基;并且

所述丙烯酰胺包含叔丁基丙烯酰胺、二甲基丙烯酰胺或其共轭碱中的一种的残基。

9.根据权利要求7或8所述的污垢抑制聚合物混合物,进一步包含约0.01mol%到约10mol%的第五单体,其中所述第五单体包含第五羧酸或其共轭碱的残基,并且其中所述第五单体化学上不同于所述第一单体、所述第二单体、所述第三单体和所述第四单体。

10.一种抑制含水系统中的污垢形成的方法,所述方法包含:

将约0.05ppm到1000ppm的根据权利要求1到9中任一项所述的聚合物组合物加入水源以形成污垢抑制聚合物混合物;和

将所述污垢抑制聚合物混合物施加到含水系统。

11.根据权利要求10所述的方法,其中所述污垢抑制聚合物混合物是通过将约0.2ppm到约50ppm的所述聚合物组合物加入所述水源来形成。

12.根据权利要求10或11所述的方法,其中所述含水系统包括冷却塔、散热器、一个或多个管道、水夹套、脱盐膜、冷凝器、蒸发器、泵或存储容器中的一种或多种。

13.一种含水系统,包括浓度为约0.1ppm到约20ppm的根据权利要求1到9中任一项所述的污垢抑制聚合物混合物。

14.根据权利要求13所述的含水系统,其中所述污垢抑制聚合物混合物提供超过2次不形成任何污垢的浓缩循环。

15.一种根据权利要求1到9中任一项所述的污垢抑制聚合物混合物的用途,用于抑制含水系统中的污垢形成。

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