[发明专利]多结光伏装置有效
| 申请号: | 201680042865.1 | 申请日: | 2016-06-10 | 
| 公开(公告)号: | CN107924933B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 | 
| 发明(设计)人: | A·罗宾逊;C·凯斯;D·柯克;E·克罗斯兰;J·瓦茨;N·博蒙特;P·巴特勒;S·胡珀 | 申请(专利权)人: | 牛津光电有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/44;H01L51/46;C01G21/00 | 
| 代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 | 
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多结光伏 装置 | ||
提供了一种多结光伏装置(100),其包括设置在第二子电池(120)上方的第一子电池(110),所述第一子电池包括包含钙钛矿材料层的光敏区域,并且所述第二子电池包括硅异质结(SHJ)。
技术领域
本发明涉及一种单片集成的硅上钙钛矿多结光伏装置,其产生超过单结布置中的底部硅子电池的效率的功率转换效率的净增益。
背景技术
在过去四十多年左右,已经越来越认识到需要用更安全的可持续能源来代替化石燃料。新能源供应也必须具有低环境影响,效率高并且易于使用且生产成本低。为此,太阳能被认为是最有前景的技术之一,然而,制造捕获太阳能的装置的高成本(包括高材料成本)历来已阻碍了其广泛使用。
每个固体都具有其自身特有的能带结构,该能带结构确定了大范围的电气特性。电子能够从一个能带跃迁到另一个能带,但是每次跃迁需要特定的最小能量,并且所需能量的量对于不同的材料将是不同的。电子通过吸收声子(热)或光子(光)来获取跃迁所需的能量。术语“带隙”是指不可能存在电子态的固体中的能量差范围,并且通常意味着价带顶部与导带底部之间的能量差(以电子伏为单位)。在正常日光条件下,在光伏装置(诸如太阳能电池)中所使用的材料的效率是用于该材料的带隙的函数。如果带隙太高,则大多数日光光子不能被吸收;如果太低,则大多数光子的能量比激发电子穿过带隙所需的能量要多得多,并且剩余部分将被浪费。肖克利-奎伊瑟极限(Shockley-Queisser limit)是指每入射光的光子可以提取的并且约为1.34eV的电能的理论上的最大量。最近在光伏装置方面的大部分工作的重点是寻找具有尽可能接近该最大值的带隙的材料。
已引起很大关注的一类光伏材料是钙钛矿。这种类型的材料形成ABX3晶体结构,已发现该ABX3晶体结构显示出良好的带隙、吸收系数高且扩散长度长,使得此类化合物在光伏装置中作为吸收体是理想的。钙钛矿材料在光伏应用中的使用的早期示例由以下文献报告:Kojima,A等人,2009,Organometal Halide Perovskites as Visible-LightSensitizers for Photovoltaic Cells,Journal of the American Chemical Society,131(17),第6050-1页,其中杂化有机-无机金属卤化物钙钛矿在基于液体电解质的光电化学电池中用作敏化剂。Kojima等人报告,尽管在这个系统中钙钛矿吸收体迅速衰减并且仅在10分钟之后电池的性能下降,但是获得的最高太阳能转化效率(或电能转化效率,PCE)为3.8%。
随后,文献:Lee,M.M.等人,2012,Efficient Hybrid Solar Cells Based onMeso-Superstructured Organometal Halide Perovskites,Science(New York,N.Y.),338(6107),第643-7页报告了“中型-超结构太阳能电池”,其中液态电解质被固态空穴导体(或空穴传输材料,HTM)、螺-MeOTAD替代。Lee等人报告了所实现的转化效率的显著增加,同时由于避免使用液体溶剂,还显著改进了电池的稳定性。在所描述的示例中,CH3NH3Pbl3钙钛矿纳米粒子在光伏电池内起到敏化剂的作用,从而将电子注入到介观TiO2支架中并将空穴注入到固态HTM中。TiO2和HTM两者都充当选择性触点,由钙钛矿纳米粒子的光激发所产生的电荷载流子通过该选择性触点提取。
WO2013/171517中描述的进一步的工作公开了作为光伏装置中的敏化剂/吸收体的混合阴离子钙钛矿(而不是单一阴离子钙钛矿)的使用如何导致更稳定且高效的光伏装置。具体地,这篇文献公开了装置在装置制造过程中表现出可忽略的颜色漂白,同时还表现出超过10%的完全太阳能转化效率这一发现突显了混合阴离子钙钛矿的优异稳定性。相比之下,等价的单一阴离子钙钛矿相对不稳定,其中在环境条件下在由单一卤化物钙钛矿制备薄膜时漂白快速发生。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





