[发明专利]热强健的近场换能器销钉有效
| 申请号: | 201680042704.2 | 申请日: | 2016-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN107851445B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
| 发明(设计)人: | 陈卫斌;M·布拉伯;赵彤;M·C·考茨基;J·C·杜达 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;G11B5/60;G11B5/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 何焜;钱慰民 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 强健 近场 换能器 销钉 | ||
一种近场换能器包括第一和第二堆叠基底部分,所述第一和第二堆叠基底部分具有共同的外形形状。所述第二基底部分靠近光递送结构。销钉从所述第一基底部分朝向面向介质的表面延伸。所述销钉包括比所述基底部分的等离子体材料更热强健的材料。所述销钉具有小于所述第一基底部分的厚度的销钉厚度。所述第一基底部分具有靠近所述销钉的第一凹陷。所述第一凹陷将所述第一基底部分与所述面向介质的表面分离,并且至少暴露所述销钉的顶侧。
发明内容
本公开涉及一种具有热强健销钉的近场换能器。在一个实施例中,近场换能器包括第一和第二堆叠基底部分,所述第一和第二堆叠基底部分包括共同的外形形状。所述第二基底部分靠近光递送结构,并且所述第一和第二基底部分由等离子体材料形成。销钉从所述第一基底部分朝向面向介质的表面延伸。所述销钉包括比所述等离子体材料更热强健的材料。所述销钉具有小于所述第一基底部分的厚度的销钉厚度。所述第一基底部分具有靠近所述销钉的第一凹陷。所述第一凹陷将所述第一基底部分与所述面向介质的表面分离,并且至少暴露所述销钉的顶侧。散热器靠近所述第一基底部分。所述散热器包括靠近写入磁极的成角度表面。
在另一实施例中,近场换能器包括由等离子体材料形成的基底部分以及嵌入在所述基底部分内的销钉。所述销钉从所述基底部分的中心朝向面向介质的表面延伸。所述销钉包括比所述等离子体材料更热强健的销钉材料。在所述基底部分的主表面上的散热器具有靠近写入磁极的成角度表面。
在另一实施例中,近场换能器具有基底部分,所述基底部分具有由第一和第二材料形成的第一和第二同心部分。所述第一和第二材料中的至少一者是等离子体材料。销钉从所述基底部分朝向面向介质的表面延伸。所述销钉包括比所述等离子体材料更热强健的销钉材料。在所述基底部分的主表面上的散热器具有靠近写入磁极的成角度表面。
鉴于以下详细讨论和附图,可以理解各实施例的这些和其他特征和方面。
附图说明
以下讨论参考以下附图,在附图中,相同的参考号可以用于标识多张附图中的相似/相同部件。
图1是根据示例实施例的硬盘驱动器滑块和介质安排的框图;
图2是根据示例实施例的读/写头的截面视图;
图3是根据示例实施例的近场换能器的透视图;
图4是根据示例实施例的近场换能器的截面视图;
图5是根据示例实施例的近场换能器的透视图;
图6是根据示例实施例的近场换能器的透视图;
图7是根据示例实施例的近场换能器的透视图;
图8是根据示例实施例的近场换能器的截面视图;并且
图9至图20分别是简图,示出了根据附加实施例的近场换能器安排的多个视图。
具体实施方式
本公开总体上涉及利用热辅助磁记录(heat-assisted magnetic recording,HAMR)的数据存储设备,所述热辅助磁记录也被称为能量辅助磁记录 (energy-assistedmagnetic recording,EAMR)、热辅助磁记录 (thermally-assisted magnetic recording,TAMR)以及热辅助记录 (thermally-assisted recording,TAR)。此技术使用能量源(诸如激光器) 以便在记录期间在磁盘上创建小型热点。所述热量降低了热点处的磁矫顽力,从而允许写入换能器改变磁定向,在此之后允许热点快速冷却。由于在冷却之后介质具有相对较高的矫顽力,因此数据由于热诱导、磁定向的随机波动(被称为顺磁效应)而较不易于受到数据误差的影响。
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