[发明专利]用于制造隔膜组件的方法

权利要求书

1.一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：

提供叠层，所述叠层包括平坦衬底和至少一个隔膜层，其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域；和

选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域，使得所述隔膜组件包括：

由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和

保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平坦衬底的所述边界区域形成；

其中所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的步骤期间以机械的方式保护所述边界区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的所述步骤包括：

使用化学蚀刻剂以便选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域，其中所述机械保护材料在化学上是抗所述化学蚀刻剂的。

3.如前述任一权利要求所述的方法，包括：

在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域之后移除所述机械保护材料。

4.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述机械保护材料具有至少1微米的厚度。

5.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述机械保护材料具有至多5微米的厚度。

6.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述机械保护材料为交联聚合物。

7.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述机械保护材料为聚(对二甲苯)聚合物。

8.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述机械保护材料为帕利灵或型材料。

9.如前述任一权利要求所述的方法，其中选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的所述步骤包括：

将掩模材料沉积至所述叠层的底部表面；

选择性地移除所述掩模材料使得掩模层由沉积至所述叠层的所述底部表面的对应于所述平坦衬底的所述边界区域的所述掩模材料形成；和

各向异性地蚀刻所述平坦衬底的所述内部区域。

10.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述平坦衬底包括具有大于100纳米的厚度的氧化层和非氧化层，其中所述氧化层在所述非氧化层与所述至少一个隔膜层之间。

11.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述至少一个隔膜层被通过化学气相沉积施加至所述平坦衬底。

12.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述至少一个隔膜层包括至少一个多晶硅层。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述至少一个多晶硅层通过使至少一个非晶硅层晶化形成。

14.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述隔膜组件用于图案形成装置或动态气锁。

15.一种用于EUV光刻术的隔膜组件，所述隔膜组件包括：

隔膜，所述隔膜由包括多晶硅或单晶硅的至少一个隔膜层形成；和

边界，所述边界保持所述隔膜；

其中所述隔膜由上覆盖层和下覆盖层覆盖，所述上覆盖层和所述下覆盖层中的每一个包括下述中的至少一个：Ru、Zr、Mo、氧化硅、氧化锆、氧化铝、氮化硼、氧化钌、氮化钌、氮化锆、氧化钼或氮化钼或硅化钼，

其中所述边界由平坦衬底形成，所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域，其中所述边界通过选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域形成，

其中所述平坦衬底包括氧化层和非氧化层，使得所述边界包括所述氧化层和所述非氧化层，其中所述氧化层在所述非氧化层与所述至少一个隔膜层之间，

其中所述边界包括掩模层，其中所述平坦衬底的所述边界区域在所述掩模层与所述至少一个隔膜层之间。

16.如权利要求15所述的隔膜组件，其中所述掩模层包括氮化硅。

17.如权利要求15至16中任一项所述的隔膜组件，其中所述氧化层包括二氧化硅。

18.如权利要求15至17中任一项所述的隔膜组件，其中所述隔膜层具有在35纳米至150纳米的范围内的厚度。

19.如权利要求15至18中任一项所述的隔膜组件，其中所述上覆盖层和所述下覆盖层中的每一个具有小于或等于2.5纳米的厚度。