[发明专利]以期望的均匀性控制在单个晶片加工室中制造增强的半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201680041996.8 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107864684B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | R·J·米尔斯;N·科迪;R·J·史蒂芬森 | 申请（专利权）人： | 阿托梅拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 期望 均匀 控制 单个 晶片 加工 制造 增强 半导体 结构 方法 | ||
1.一种在单个晶片加工室中加工半导体晶片的方法，该方法包括：
将单个晶片加工室加热到650-700℃范围内的温度；和
通过沉积硅和氧以形成多个堆叠的层组在加热的单个晶片加工室内的半导体晶片上形成至少一个超晶格，每个层组包含界定基础硅部分的多个堆叠的基础硅单层以及限制在相邻的基础硅部分的晶格内的至少一个氧单层；
其中沉积氧包括使用N2O气流沉积氧。
2.根据权利要求1所述的方法，其中沉积氧包括以1至100秒范围内的暴露时间沉积氧。
3.根据权利要求1所述的方法，其中N2O气流在10至5000标准立方厘米/分钟的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法，其中沉积氧包括以10至100托范围内的压力沉积氧。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在氧单层形成期间，N2O的总剂量在1×1014至7×1014原子/cm2的范围内。
6.根据权利要求1所述的方法，其中半导体晶片包含多个间隔开的浅沟槽隔离区域，并且其中形成该至少一个超晶格包括在相邻对的浅沟槽隔离区域之间选择性地形成各自的超晶格。
7.根据权利要求1所述的方法，其中形成该至少一个超晶格包括在半导体晶片上的覆盖超晶格形成。
8.根据权利要求1所述的方法，其中使来自相对的基础硅部分的至少一些硅原子通过其间的至少一个氧单层化学结合在一起。
9.一种在单个晶片加工室中加工半导体晶片的方法，该半导体晶片包含多个间隔离开的浅沟槽隔离区域，该方法包括：
将单个晶片加工室加热到650-700℃范围内的温度；和
通过沉积硅和氧以形成多个堆叠的层组在加热的单个晶片加工室内的半导体晶片上的相邻对的浅沟槽隔离区域之间选择性形成各自的超晶格，每个组层包含界定基础硅部分的多个堆叠的基础硅单层以及限制在相邻的基础硅部分的晶格内的至少一个氧单层；
其中沉积氧包括使用N2O气流并以10至100托范围内的压力沉积氧。
10.根据权利要求9所述的方法，其中沉积氧包括以1至100秒范围内的暴露时间沉积氧。
11.根据权利要求9所述的方法，其中N2O气流在10至5000标准立方厘米/分钟的范围内。
12.根据权利要求9所述的方法，其中在氧单层形成期间，N2O的总剂量在1×1014至7×1014原子/cm2的范围内。
13.根据权利要求9所述的方法，其中使来自相对的基础硅部分的至少一些硅原子通过其间的至少一个氧单层化学结合在一起。
14.一种在单个晶片加工室中加工半导体晶片的方法，该方法包括：
将单个晶片加工室加热到650-700℃范围内的温度；和
通过沉积硅和氧以形成多个堆叠的层组在加热的单个晶片加工室内的半导体晶片上形成覆盖超晶格，每个层组包含界定基础硅部分的多个堆叠的基础硅单层以及限制在相邻的基础硅部分的晶格内的至少一个氧单层；
其中沉积氧包括使用N2O气流并以10至100托范围内的压力沉积氧。
15.根据权利要求14所述的方法，其中沉积氧包括以1至100秒范围内的暴露时间沉积氧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿托梅拉公司，未经阿托梅拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680041996.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种等离子除尘设备
- 下一篇：一种环保型有机废气治理设备
- 同类专利
- 专利分类
