[发明专利]用于从振动分子电荷捕获电能的电路在审
| 申请号： | 201680041597.1 | 申请日： | 2016-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107925369A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | B·J·格鲁恩沃德 | 申请（专利权）人： | B·J·格鲁恩沃德 |
| 主分类号： | H02N2/18 | 分类号： | H02N2/18;H02M7/06;H02M7/217;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 曹雯 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 振动 分子 电荷 捕获 电能 电路 | ||
1.一种电源，包括：
多个场效应晶体管，所述多个场效应晶体管中的每一个场效应晶体管都具有小于10纳米的特征尺寸，并且被配置为捕获由多个振动分子电荷引起的电压或电流并对所述电压或电流进行整流以产生输出电压。
2.根据权利要求1所述的电源，其中，所述多个场效应晶体管中的每一个场效应晶体管都是金属氧化物半导体场效应晶体管。
3.根据权利要求1所述的电源，其中，所述多个场效应晶体管中的每一个场效应晶体管都是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
4.根据权利要求1所述的电源，其中，所述多个场效应晶体管中的每一个场效应晶体管都是N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
5.根据权利要求1所述的电源，其中，所述多个场效应晶体管中的至少一个场效应晶体管被串联耦合到所述多个场效应晶体管中的至少另一个场效应晶体管。
6.根据权利要求1所述的电源，其中，所述多个场效应晶体管中的至少一个场效应晶体管被并联耦合到所述多个场效应晶体管中的至少另一个场效应晶体管。
7.根据权利要求1所述的电源，其中，所述多个场效应晶体管中的每一个场效应晶体管都具有小于200nm的特征尺寸。
8.根据权利要求1所述的电源，其中，所述多个场效应晶体管中的每一个场效应晶体管都具有小于100nm的特征尺寸。
9.根据权利要求1所述的电源，其中，所述多个场效应晶体管中的每一个场效应晶体管都具有小于50nm的特征尺寸。
10.根据权利要求1所述的电源，其中，所述多个场效应晶体管中的每一个场效应晶体管都具有小于20nm的特征尺寸。
11.根据权利要求1所述的电源，其中，所述多个场效应晶体管中的每一个场效应晶体管都具有小于10nm的特征尺寸。
12.根据权利要求1所述的电源，其中，所述多个场效应晶体管中的每一个场效应晶体管都具有小于5nm的特征尺寸。
13.一种电源，包括：
多个整流器，所述多个整流器中的每个整流器都具有小于10纳米的特征尺寸，并且被配置为捕获由多个振动分子电荷引起的电压或电流并对所述电压或电流进行整流以产生输出电压。
14.根据权利要求13所述的电源，其中，所述多个整流器中的每一个整流器都是半波整流器。
15.根据权利要求13所述的电源，其中，所述多个整流器中的每一个整流器都是全波整流器。
16.根据权利要求13所述的电源，其中，所述多个整流器中的每一个整流器都是二极管。
17.根据权利要求14所述的电源，其中，所述多个整流器中的每一个整流器都是二极管。
18.根据权利要求14所述的电源，其中，所述多个整流器中的每一个整流器都是MOSFET。
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