[发明专利]用于连接使用栅极切割分开的栅极区的器件和方法

权利要求书

1.一种制造器件的方法，所述方法包括：

执行栅极切割来切割栅极线以创建第一栅极区和第二栅极区；以及

沉积导电材料以形成用于连接所述第一栅极区和所述第二栅极区的导电跨接结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述栅极切割包括执行平切。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在执行所述栅极切割之后并且在沉积所述导电材料之前，在所述第一栅极区与所述第二栅极区之间形成介电材料。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述导电跨接结构是使用沉积工艺来在所述介电材料上形成的。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括形成毗邻于所述栅极线的虚设栅极线。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，执行所述栅极切割包括切割所述虚设栅极线以形成第三栅极区和第四栅极区。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电跨接结构是在所述器件的中部制程(MOL)处理期间形成的。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述栅极切割并沉积所述导电材料是由执行从存储器访问的指令的处理器发起的。

9.一种存储指令的计算机可读介质，所述指令可由处理器执行以在器件的制造期间执行操作，所述操作包括：

发起栅极切割来切割栅极线以创建第一栅极区和第二栅极区；以及

发起沉积导电材料以形成用于连接所述第一栅极区和所述第二栅极区的导电跨接结构。

10.如权利要求9所述的计算机可读介质，其特征在于，发起所述栅极切割包括发起平切。

11.如权利要求9所述的计算机可读介质，其特征在于，所述操作进一步包括：在执行所述栅极切割之后并且在沉积所述导电材料之前，发起在所述第一栅极区与所述第二栅极区之间形成介电材料。

12.如权利要求11所述的计算机可读介质，其特征在于，所述导电跨接结构是使用沉积工艺来在所述介电材料上形成的。

13.如权利要求9所述的计算机可读介质，其特征在于，进一步包括形成毗邻于所述栅极线的虚设栅极线。

14.如权利要求13所述的计算机可读介质，其特征在于，所述栅极切割在与所述栅极线相同的位置处将所述虚设栅极线分开以形成第三栅极区和第四栅极区。

15.如权利要求9所述的计算机可读介质，其特征在于，所述导电跨接结构是在所述器件的中部制程(MOL)处理期间形成的。

16.一种装置，包括：

第一器件，其包括第一栅极区；

第二器件，其包括第二栅极区，所述第一栅极区和所述第二栅极区是从栅极线形成的；以及

导电跨接结构，其将所述第一栅极区与所述第二栅极区耦合。

17.如权利要求16所述的装置，其特征在于，进一步包括：

第一虚设器件，其具有从第二栅极线形成的栅极端子，所述第一虚设器件毗邻于所述第一器件；以及

第二虚设器件，其具有从所述第二栅极线形成的栅极端子，所述第二虚设器件毗邻于所述第二器件。

18.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述第一器件的栅极端子经由所述导电跨接结构耦合到所述第二器件的栅极端子，其中所述第一虚设器件的栅极端子被耦合到供电电压节点，并且其中所述第二虚设器件的栅极端子被耦合到接地节点。

19.如权利要求16所述的装置，其特征在于，进一步包括在所述第一栅极区与所述第二栅极区之间形成的介电材料。

20.如权利要求19所述的装置，其特征在于，所述导电跨接结构邻接所述介电材料。

21.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第一器件包括第一鳍式场效应晶体管(finFET)，而所述第二器件包括第二finFET。

22.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第一器件包括p型器件，而所述第二器件包括n型器件。