[发明专利]摄像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种摄像装置，所述摄像装置包括以二维矩阵形状排列的多个受光元件，其中

各个受光元件包括第一电极、光电转换层和第二电极，

光电转换层具有其中具有第一导电类型的第一化合物半导体层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层从第一电极侧层叠的层叠结构，第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型，

在受光元件与受光元件之间的区域中的第二化合物半导体层被去除，

第一电极和第一化合物半导体层由受光元件共享，以及

第一电极附近的第一化合物半导体层的杂质浓度低于第二化合物半导体层附近的第一化合物半导体层的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中第一化合物半导体层具有位于第一电极侧且具有低杂质浓度的第一层和位于第二化合物半导体层侧且具有高杂质浓度的第二层的两层结构。

3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中

第一化合物半导体层的第一层中的杂质浓度为1×10¹⁴cm^-3～5×10¹⁵cm^-3，以及

第一化合物半导体层的第二层中的杂质浓度为5×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求3所述的摄像装置，其中第一化合物半导体层的第二层比第一化合物半导体层的第一层薄。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的摄像装置，其中在去除了第二化合物半导体层的位于受光元件与受光元件之间的区域中的第一化合物半导体层中形成有包括高电阻区域的元件隔离区域。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的摄像装置，其中在去除了第二化合物半导体层的位于受光元件与受光元件之间的区域中形成有未掺杂的第三化合物半导体层。

7.一种摄像装置，所述摄像装置包括以二维矩阵形状排列的多个受光元件，其中

各个受光元件包括第一电极、光电转换层和第二电极，

光电转换层具有其中具有第一导电类型的第一化合物半导体层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层从第一电极侧层叠的层叠结构，第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型，

在受光元件与受光元件之间的区域中的第二化合物半导体层被去除，

第一电极和第一化合物半导体层由受光元件共享，以及

在去除了第二化合物半导体层的位于受光元件与受光元件之间的区域中的第一化合物半导体层中形成有元件隔离区域。

8.根据权利要求7所述的摄像装置，其中元件隔离区域包括高电阻区域。

9.根据权利要求7或8所述的摄像装置，其中在去除了第二化合物半导体层的位于受光元件与受光元件之间的区域中形成有未掺杂的第三化合物半导体层。

10.根据权利要求1或7所述的摄像装置，其中

第一化合物半导体层包括n-InGaAs层，以及

第二化合物半导体层包括p-InP层。

11.根据权利要求10所述的摄像装置，其中

在第一化合物半导体层和第二化合物半导体层之间形成有p-AlInAs层，以及

p-AlInAs层在去除了第二化合物半导体层的位于受光元件与受光元件之间的区域中延伸。

12.根据权利要求1或7所述的摄像装置，其中受光元件的排列间距为5μm以下。