[发明专利]用于半导体装置的场板结构

权利要求书

1.一种半导体晶体管装置，其包括：

半导体衬底；

源极欧姆接点、漏极欧姆接点和栅极接点，所述栅极接点安置在定位于所述源极欧姆接点与所述漏极欧姆接点之间的栅极区域之上；

场板电介质，其安置在所述半导体衬底之上，其中所述场板电介质包括第一场板区域；

封装电介质，其安置在所述栅极接点之上，其中所述封装电介质覆盖所述栅极接点的顶表面；以及

源极场板，其连接到所述源极欧姆接点，其中所述源极场板在所述第一场板区域中安置在所述场板电介质之上，并且其中所述第一场板区域中不存在所述封装电介质。

2.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其中所述半导体衬底包括选自由IV族、III-V族和II-VI族半导体材料组成的组的材料。

3.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其中所述半导体衬底包括III族氮化物(III-N)材料。

4.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其中所述源极场板电连接到所述源极欧姆接点。

5.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其中所述源极场板电容性耦合到所述源极欧姆接点。

6.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其中所述场板电介质包括至少两个层。

7.根据权利要求6所述的半导体晶体管装置，其中所述场板电介质的第一层的厚度与所述场板电介质的第二层的厚度不同。

8.根据权利要求6所述的半导体晶体管装置，其中所述场板电介质的第一层的厚度与所述场板电介质的第二层的厚度相同。

9.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其中所述第一场板区域具有长于1纳米的长度。

10.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其中所述封装电介质在位于所述栅极接点与所述漏极欧姆接点之间的区域之上超过所述栅极接点一定长度，所述长度在1纳米与10,000纳米之间。

11.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其中所述栅极接点的所述顶表面与所述场板电介质的顶表面齐平，或低于所述场板电介质的顶表面。

12.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其中所述栅极区域包括凹槽。

13.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其进一步包括安置在所述栅极接点下面的栅极电介质。

14.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其中所述场板电介质由选自由氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化硅和氧化铪组成的组的一种或多种材料制成。

15.根据权利要求1所述的半导体晶体管装置，其进一步包括栅极场板，所述栅极场板连接到所述栅极接点并且从所述栅极接点朝所述漏极欧姆接点横向地延伸，

其中所述封装电介质覆盖所述栅极场板的顶表面，

其中所述栅极场板在第二场板区域中安置在所述场板电介质之上，并且

其中所述第二场板区域与所述第一场板区域不重叠。

16.根据权利要求15所述的半导体晶体管装置，其中所述栅极场板呈阶梯形。

17.根据权利要求15所述的半导体晶体管装置，其中所述第二场板区域具有长于1纳米的长度。

18.根据权利要求15所述的半导体晶体管装置，其中所述封装电介质超过所述栅极场板一定长度，所述长度在1纳米与10,000纳米之间。