[发明专利]缺陷测定方法、缺陷测定装置及检查探头有效
| 申请号: | 201680041309.2 | 申请日: | 2016-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN107850570B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
| 发明(设计)人: | 多田丰和;末次秀彦 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
| 主分类号: | G01N27/82 | 分类号: | G01N27/82 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王永红 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 缺陷 测定 方法 装置 检查 探头 | ||
1.一种缺陷测定方法,其用于检查磁性体管的缺陷,
所述缺陷测定方法的特征在于,包括:
测定工序,在该测定工序中,将具备磁轭、多个磁铁以及多个霍尔元件的检查探头插入所述磁性体管的内部,并测定所述多个霍尔元件的输出,所述磁轭为中空圆筒状,所述多个磁铁沿着周向而以等间隔配置在所述磁轭的外周,并在与所述磁性体管对置的方向上极化,所述多个霍尔元件配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁轭后从所述磁轭通过所述磁铁的外部而到达所述磁性体管再从所述磁性体管返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上、或者配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁性体管后从所述磁性体管通过所述磁铁的外部而到达所述磁轭再从所述磁轭返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上,且对在该多个磁回路中从所述磁轭朝向所述磁性体管或者从所述磁性体管朝向所述磁轭而沿着所述磁性体管的半径方向在所述磁铁的外部流通的磁通密度进行检测;以及
算出工序,在该算出工序中,基于所述多个霍尔元件的输出来判定所述磁性体管有无缺陷,并算出所述磁性体管与所述磁铁对置的方向上的所述磁性体管的缺陷的深度。
2.根据权利要求1所述的缺陷测定方法,其特征在于,
所述缺陷测定方法在所述测定工序之前包括关系式算出工序,在所述关系式算出工序中,使用校正用的磁性体管并将所述校正用的磁性体管的缺陷的深度的实测值与所述多个霍尔元件的输出建立对应关系,由此算出所述多个霍尔元件的输出与作为检查对象的磁性体管的缺陷的深度之间的关系式,
在所述算出工序中,基于所述关系式而由所述多个霍尔元件的输出算出所述磁性体管的缺陷的深度。
3.一种缺陷测定装置,其特征在于,具备:
检查探头,其具备磁轭、多个磁铁以及多个霍尔元件,所述磁轭为中空圆筒状,所述多个磁铁沿着周向而以等间隔配置在所述磁轭的外周,并在与磁性体管对置的方向上极化,所述多个霍尔元件配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁轭后从所述磁轭通过所述磁铁的外部而到达磁性体管再从所述磁性体管返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上、或者配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁性体管后从所述磁性体管通过所述磁铁的外部而到达所述磁轭再从所述磁轭返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上,且对在该多个磁回路中从所述磁轭朝向所述磁性体管或者从所述磁性体管朝向所述磁轭而沿着所述磁性体管的半径方向在所述磁铁的外部流通的磁通密度进行检测;以及
缺陷深度算出部,其基于所述多个霍尔元件的输出来判定所述磁性体管有无缺陷,并算出所述磁性体管与所述磁铁对置的方向上的所述磁性体管的缺陷的深度。
4.根据权利要求3所述的缺陷测定装置,其特征在于,
所述缺陷测定装置具备存储有所述多个霍尔元件的输出与作为检查对象的磁性体管的缺陷的深度之间的关系式的存储部,所述关系式通过使用校正用的磁性体管并将所述校正用的磁性体管的缺陷的深度的实测值与所述多个霍尔元件的输出建立对应关系来算出,
所述缺陷深度算出部基于所述关系式而由所述多个霍尔元件的输出算出所述磁性体管的缺陷的深度。
5.一种检查探头,其用于检查磁性体管的缺陷,
所述检查探头的特征在于,具备:
磁轭,其为中空圆筒状;
多个磁铁,其沿着周向而以等间隔配置在所述磁轭的外周,并在与所述磁性体管对置的方向上极化;以及
多个霍尔元件,其配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁轭后从所述磁轭通过所述磁铁的外部而到达所述磁性体管再从所述磁性体管返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上、或者配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁性体管后从所述磁性体管通过所述磁铁的外部而到达所述磁轭再从所述磁轭返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上,且对在该多个磁回路中从所述磁轭朝向所述磁性体管或者从所述磁性体管朝向所述磁轭而沿着所述磁性体管的半径方向在所述磁铁的外部流通的磁通密度进行检测。
6.根据权利要求5所述的检查探头,其特征在于,
所述磁轭在所述磁铁中的与所述磁性体管对置的对置面的相反侧的面以与所述磁铁对置的方式配设,
所述磁轭与所述磁铁及所述磁性体管一起形成所述磁回路。
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