[发明专利]金属污染防止剂、金属污染防止膜、金属污染防止方法及制品清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于减少超纯水的金属污染性的金属污染防止剂及金属污染防止膜，特别涉及在半导体产业、电力及原子能产业、医疗产业或其他相关产业中，用超纯水清洗制品时，针对因超纯水中的微量金属及离子附着于产品造成的制品的金属污染导致的产品不良的情形，能够简便地防止上述情形发生的金属污染防止剂及金属污染防止膜，以及采用了该金属污染防止剂的金属污染防止方法及制品清洗方法。

背景技术

清洗制造半导体用基板的晶元时，在以各种药品清洗后，用超纯水进行漂洗清洗。该漂洗清洗使用的是可深度去除水中的杂质的高纯度超纯水。

但是，即便是晶元清洗用的超纯水，也含有微量金属，超纯水中的微量金属会在清洗中附着于晶元而产生晶元的金属污染问题。

以往为了更低地抑制制品清洗过程中的金属污染，在制造超纯水的时候，通过脱矿化(demineralizing)纯化处理、使用低溶出配管构件及荷电UF膜、特殊配管清洗等以及这些方法的组合来进行超纯水的高纯度化。但是，任一种方法都有不适，例如会牵扯到超纯水制造设备的成本的升高，并且在应用于当前的设备时会使改造工程所需的停止时间期间延长化。

专利文献1、2记载了超纯水中的聚苯乙烯磺酸或聚苯乙烯类四级铵盐等是晶元污染的重要起因，故需减少它们在超纯水中的含量。

专利文献3记载了一种含有有机酸(A)的四级铵盐(B)的电子材料用清洗剂，其不会在晶元表面残留碱金属的影响，能够去除颗粒。具体而言，在专利文献3中通过防止清洗时已从清洗对象清洗去除的颗粒再次附着于清洗面从而能够深度清洗。但是关于超纯水中微量金属的污染性的减少程度，未作任何记载。

专利文献4揭示了一种含有聚苯乙烯磺酸盐作为表面活性剂的去除颗粒用的清洗剂，但是关于超纯水中微量金属的污染性的减少程度，同样未作记载。

专利文献1：特开2003-334550号公报；

专利文献2：特开2004-283747号公报；

专利文献3：特开2007-335856号公报；

专利文献4：特开2014-141668号公报。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种能够减少超纯水中、特别是制品清洗用的超纯水中的微量金属的附着性从而抑制清洗对象的金属污染的金属污染防止剂，和采用了该金属污染防止剂的金属污染防止膜、金属污染防止方法及制品清洗方法。

为了解决上述课题经本发明者们专心探讨后知道，通过向超纯水中添加具有离子交换基的聚合物从而能够解决上述课题，进而完成了本发明。

即，本发明的主要内容如下。

[1]一种金属污染防止剂，将其添加于超纯水用于减少因超纯水中的微量金属产生的污染性，其特征是，该金属污染防止剂含有具有离子交换基的聚合物。

[2]如[1]所述的金属污染防止剂，其特征是，前述聚合物为具有磺酸基或四级铵基的聚合物。

[3]如[1]或[2]所述的金属污染防止剂，其特征是，前述聚合物的分子量在10万以上。

[4]如[2]或[3]所述的金属污染防止剂，其特征是，前述聚合物为聚苯乙烯磺酸。

[5]如[1]至[4]中任一项所述的金属污染防止剂，其特征是，前述微量金属为二价以上的金属。

[6]如[1]至[5]中任一项所述的金属污染防止剂，其特征是，其被添加在分离膜的上游侧。

[7]一种金属污染防止方法，该方法用于防止因超纯水中的微量金属造成的与该水接触的制品的金属污染，其特征是，向该超纯水添加[1]至[6]中任一项所述的金属污染防止剂。

[8]如[7]所述的金属污染防止方法，其特征是，向前述超纯水添加前述金属污染防止剂后，使其流过分离膜组件，并使膜透过水与前述制品接触。

[9]一种制品清洗方法，其特征是，用添加有[1]至[6]中任一项所述的金属污染防止剂的超纯水来清洗制品。

[10]如[9]所述的制品清洗方法，其特征是，向前述超纯水添加前述金属污染防止剂后，使其流过分离膜组件，并用所得的膜透过水来清洗前述制品。

[11]一种金属污染防止膜，其特征是，其附着有或固定有[1]至[6]中任一项所述的金属污染防止剂。

发明效果

通过向超纯水添加本发明的金属污染防止剂，从而具有离子交换基的聚合物能够以离子交换反应吸附超纯水中的微量金属而抑制其附着于制品。即，仅通过向超纯水添加本发明的金属污染防止剂，就能够减轻超纯水的金属污染性。