[发明专利]选择性处理工件的方法及系统有效

专利信息
申请号: 201680039913.1 申请日: 2016-07-06
公开(公告)号: CN107851562B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 马克·R·亚玛多;威廉·戴维斯·李;吉莲·雷诺 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/324
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 选择性 处理 工件 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种处理工件的方法,其特征在于,包括:

在朝第一位置引导带状离子束的同时使所述工件在第一方向上绕中心旋转,其中所述带状离子束在两个第一定位处延伸超过所述工件的外边缘且所述第一位置是距离所述工件的所述外边缘的预定距离,以在所述工件旋转的同时处理所述工件的外部部分的一部分,其中所述外部部分是环形圈,所述环形圈具有与所述预定距离相等的宽度;

相对于所述带状离子束移动所述工件,以朝所述工件上的第二位置引导所述带状离子束,其中所述带状离子束在两个第二定位处延伸超过所述工件的外边缘且所述第二位置位于所述中心的与所述第一位置相对的侧上且是距离所述工件的所述外边缘的所述预定距离;以及

在朝所述第二位置引导所述带状离子束的同时使所述工件在与所述第一方向相反的第二方向上绕所述中心旋转,以在所述工件旋转的同时处理所述工件的所述外部部分的其余部分,以仅处理所述工件的所述外部部分。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第一方向上将所述工件旋转至少180°且在所述第二方向上将所述工件旋转至少180°。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述带状离子束不在所述移动期间撞击所述工件。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在所述移动期间通过法拉第杯或荫罩来阻挡所述带状离子束。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在所述移动期间将所述带状离子束消隐。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,重复进行所述在所述第一方向上旋转、所述移动、及所述在所述第二方向上旋转。

7.一种离子植入系统,其特征在于,包括:

离子源,自其提取带状离子束;

台板,适应于保持工件,所述台板被配置成侧向地且旋转地移动;

控制器,与所述台板连通,且用以:

朝所述工件上的第一位置引导所述带状离子束,其中所述带状离子束在两个第一定位处延伸超过所述工件的外边缘,且所述第一位置是距离所述工件的所述外边缘的预定距离;

在朝所述第一位置引导所述带状离子束的同时使所述工件在第一方向上绕中心旋转,以在所述工件旋转的同时处理所述工件的外部部分的一部分,其中所述外部部分是环形圈,所述环形圈具有与所述预定距离相等的宽度;

相对于所述带状离子束移动所述工件,以朝所述工件上的第二位置引导所述带状离子束,其中所述带状离子束在两个第二定位处延伸超过所述工件的外边缘,且所述第二位置位于所述中心的与所述第一位置相对的侧上且是距离所述工件的所述外边缘的所述预定距离;以及

在朝所述第二位置引导所述带状离子束的同时使所述工件在与所述第一方向相反的第二方向上绕所述中心旋转,以在所述工件旋转的同时处理所述工件的所述外部部分的其余部分,其中所述外部部分的宽度是由所述预定距离而确定,且仅处理所述工件的所述外部部分。

8.根据权利要求7所述的离子植入系统,其特征在于,在相对于所述带状离子束移动所述工件的同时,防止所述带状离子束撞击所述工件。

9.根据权利要求8所述的离子植入系统,其特征在于,所述控制器致动法拉第杯或荫罩以在所述移动期间阻挡所述带状离子束。

10.根据权利要求8所述的离子植入系统,其特征在于,所述控制器修改所述离子源的参数,以使得所述带状离子束在所述移动期间消隐。

11.根据权利要求7所述的离子植入系统,其特征在于,所述工件旋转至少180°。

12.根据权利要求7所述的离子植入系统,其特征在于,重复进行所述引导、所述在所述第一方向上旋转、所述移动、及所述在所述第二方向上旋转,以使得所述工件旋转整数转。

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