[发明专利]陶瓷金属电路基板以及使用了该陶瓷金属电路基板的半导体装置

权利要求书

1.一种陶瓷金属电路基板，其特征在于，具备陶瓷基板、以及分别介由接合层与该陶瓷基板的第1面和第2面接合的第1金属板和第2金属板，其中，

在所述第1金属板的与所述陶瓷基板的接合面的相反侧的面设置有金属被膜，同时在所述第2金属板的与所述陶瓷基板的接合面的相反侧的面的至少一部分未设置有金属被膜，

在所述第2金属板的未设置有所述金属被膜的部位使用无铅焊锡安装半导体元件或金属端子，

所述第1金属板和所述第2金属板分别由选自铜、铜合金、铝和铝合金中的一种形成，

通过在最大高度粗糙度Rz为2μm以上的所述第1金属板和所述第2金属板设置所述金属被膜，设置有所述金属被膜的面的最大高度粗糙度Rz为1.5μm以下，

所述金属被膜的平均膜厚为10μm以下，

所述第1金属板和所述第2金属板的平均晶粒直径为200μm～1000μm，

所述第1金属板具有再结晶组织。

2.根据权利要求1所述的陶瓷金属电路基板，其特征在于，在所述接合层形成有从所述第1金属板和所述第2金属板的侧面露出的露出部。

3.根据权利要求1所述的陶瓷金属电路基板，其特征在于，所述接合层含有选自Ag、Cu、Al之中的至少1种。

4.根据权利要求2所述的陶瓷金属电路基板，其特征在于，以覆盖所述第1金属板和所述第2金属板的侧面以及所述露出部的方式设置有金属被膜。

5.根据权利要求1所述的陶瓷金属电路基板，其特征在于，所述金属被膜是选自镍、金、或以它们作为主成分的合金中的一种。

6.根据权利要求1所述的陶瓷金属电路基板，其特征在于，所述陶瓷基板是选自氮化硅基板、氮化铝基板、氧化铝基板中的一种。

7.根据权利要求1所述的陶瓷金属电路基板，其特征在于，所述金属被膜的平均膜厚为5μm以下。

8.根据权利要求1所述的陶瓷金属电路基板，其特征在于，所述陶瓷基板为氮化硅基板，在所述接合层形成有从所述第1金属板和所述第2金属板的侧面露出的露出部，所述接合层含有选自Ag、Cu、Al之中的至少1种。

9.根据权利要求1所述的陶瓷金属电路基板，其特征在于，所述接合层含有选自Ag、Cu、Al之中的至少1种，设置有所述金属被膜的金属板具有再结晶组织。

10.根据权利要求1所述的陶瓷金属电路基板，其特征在于，所述第1金属板和所述第2金属板为铜板。

11.根据权利要求1所述的陶瓷金属电路基板，其特征在于，所述第1金属板和所述第2金属板的厚度为0.20mm以上。

12.一种半导体装置，其特征在于，在权利要求1～11中任一项所述的陶瓷金属电路基板上安装有半导体元件。