[发明专利]面状发热体及导电膜有效
申请号: | 201680038926.7 | 申请日: | 2016-07-04 |
公开(公告)号: | CN107852780B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 具珏会 | 申请(专利权)人: | 具珏会 |
主分类号: | H05B3/20 | 分类号: | H05B3/20;H05B3/12;H05B3/78 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;王莹 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发热 导电 | ||
1.一种面状发热体,包括:
基板;以及
发热层,形成于上述基板上,包含掺杂有一种以上的准金属和一种以上的后过渡金属的锡的氧化物;
其中上述准金属的掺杂量多于上述后过渡金属的掺杂量,上述后过渡金属的掺杂量在上述准金属的掺杂量的1/7至1/5的范围内,上述锡的氧化物中的上述后过渡金属的掺杂量为0.10至0.15原子数百分含量,上述锡的氧化物中的上述准金属的掺杂量为0.65至0.75原子数百分含量;
上述发热层的面电阻为40 Ohm/sq至500 Ohm/sq ;
上述发热层在可见光范围内的透射率为70%至100%;以及
上述发热层具有金红石晶体结构。
2.根据权利要求1所述的面状发热体,基于上述后过渡金属的掺杂量越增加面电阻越减小,上述准金属的掺杂量越增加面电阻越增加,来决定上述掺杂量,从而以具有规定发热温度范围的方式进行设计。
3.根据权利要求1所述的面状发热体,上述准金属包含选自由硼、硅、锗、砷、锑及碲组成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的面状发热体,上述后过渡金属包含选自由铝、镓、铟、锡、铊、铅、铋及钋组成的组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的面状发热体,还包括形成于上述发热层的金属电极。
6.根据权利要求1所述的面状发热体,还包括层叠于上述发热层的保护层。
7.根据权利要求6所述的面状发热体,上述发热层及上述保护层交替反复地层叠。
8.根据权利要求1所述的面状发热体,发热温度在500℃至800℃的范围内。
9.根据权利要求1所述的面状发热体,上述准金属及上述后过渡金属在上述锡的氧化物中以氧化物形态存在。
10.根据权利要求1所述的面状发热体,110面的X线衍射峰值2θ位于20°-30°的范围内,211面的X线衍射峰值2θ位于45°-55°的范围内。
11.根据权利要求1所述的面状发热体,上述发热层的厚度为100nm至500nm。
12.根据权利要求1所述的面状发热体,上述面状发热体能够利用于医疗用设备、保健设备、具有发热功能的装饰品、家电产品、建筑物、砖、汽车玻璃窗、农业设施设备、工业用烤箱,印刷配线电路基板、透明电极、太阳能电池、印刷油墨或船舶涂料。
13.一种导电膜,包括发热层,上述发热层形成于基板上,包含掺杂有一种以上的准金属和一种以上的后过渡金属的锡的氧化物,其中上述准金属的掺杂量多于上述后过渡金属的掺杂量,上述后过渡金属的掺杂量在上述准金属的掺杂量的1/7至1/5的范围内,上述锡的氧化物中的上述后过渡金属的掺杂量为0.10至0.15原子数百分含量,上述锡的氧化物中的上述准金属的掺杂量为0.65至0.75原子数百分含量;
上述发热层的面电阻为40 Ohm/sq至500 Ohm/sq;
上述发热层在可见光范围内的透射率为70%至100%;以及
上述发热层具有金红石晶体结构。
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