[发明专利]晶片以及晶片缺陷分析方法

权利要求书

1.一种晶片，包括缺陷区域，所述缺陷区域具有各自不同的特征温度，在所述特征温度下，氧析出指数被最大化，

其中，所述缺陷区域包括小空隙区域、O带区域、缺位优势无缺陷区域、过渡区域或者间质优势无缺陷区域中至少一个，

其中，所述氧析出指数包括在对所述晶片实施热处理之前和之后的所述晶片中包含的氧的变化量、所述晶片中包含的氧析出物的密度、氧析出核的生成量、或所述氧析出核的生成速率中至少一个，并且

其中，在所述缺陷区域中，

所述小空隙区域的特征温度是870℃以上，

所述O带区域的特征温度是840℃以上并低于870℃，

所述缺位优势无缺陷区域的特征温度是810℃以上并低于840℃，

所述过渡区域的特征温度是800℃以上并低于810℃，并且

所述间质优势无缺陷区域的特征温度低于800℃。

2.根据权利要求1所述的晶片，其中，所述缺陷区域中不包括空隙缺位缺陷区域。

3.一种用于确定晶片的缺陷区域的方法，所述方法包括：

(a)对所述晶片以不同温度进行热处理；

(b)测量对应于在步骤(a)中被热处理的所述晶片的经热处理的晶片的氧析出指数；

(c)确定使所述氧析出指数最大化的特征温度；以及

(d)根据所述确定的特征温度，来分辨所述晶片中的所述缺陷区域的类型。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，步骤(a)包括：

(a1)通过在第一温度下对所述晶片进行第一时间段的热处理来在所述晶片中包含的每个所述缺陷区域中生成氧析出核。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，步骤(a)还包括：

(a2)对所述经热处理的晶片以第二温度进行第二时间段的热处理，使所述生成的氧析出核生长成氧析出物，所述第二温度高于所述第一温度。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一温度是450℃以上并低于1000℃，所述第一时间段是在1小时至20小时范围内。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二温度的最小值是950℃，所述第二时间段是在1小时至20小时范围内。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，步骤(a2)被执行直到所述氧析出物达到可观察大小。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氧析出指数包括执行步骤(a1)之前所述晶片中包含的氧量与在执行步骤(a2)之后所述晶片中包含的氧量之间的变化量、所述氧析出物的密度、所述氧析出核的生成量、或所述氧析出核的生成速率中至少一个。

10.根据权利要求3所述的方法，其中，所述步骤(b)沿着所述晶片的半径方向执行。

11.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述步骤(c)中确定的所述特征温度对应于最大化地生成所述氧析出核的温度。

12.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述步骤(c)，在所述第一温度范围内不能确定所述特征温度时，使用最小二乘拟合法来确定所述特征温度。

13.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述步骤(d)中：

当所述特征温度是870℃以上时，所述缺陷区域的所述类型被确定为小空隙区域，

当所述特征温度是840℃以上并低于870℃时，所述缺陷区域的所述类型被确定为O带区域，

当所述特征温度是810℃以上并低于840℃时，所述缺陷区域的所述类型被确定为缺位优势无缺陷区域，

当所述特征温度是800℃以上并低于810℃时，所述缺陷区域的所述类型被确定为过渡区域，以及

当所述特征温度低于800℃时，所述缺陷区域的所述类型被确定为间质优势无缺陷区域。