[发明专利]自举D类宽带RF功率放大器

权利要求书

1.一种放大器，该放大器包括：

第一场效应晶体管FET，该第一场效应晶体管FET具有：栅极；漏极，该漏极被配置为联接到电源；以及源极；

第二场效应晶体管FET，该第二场效应晶体管FET具有：栅极；漏极，该漏极联接到所述第一场效应晶体管FET的源极；以及源极；

自举路径，该自举路径包括电阻元件，该电阻元件联接在所述第一场效应晶体管FET的栅极与源极之间；

第三场效应晶体管FET，该第三场效应晶体管FET具有：栅极；漏极，该漏极联接到所述第一场效应晶体管FET的栅极；以及源极；以及

输入端子，该输入端子经由电容器联接到所述第二场效应晶体管FET和所述第三场效应晶体管FET两者的栅极，并且被配置为接收驱动所述第二场效应晶体管FET和所述第三场效应晶体管FET两者的公共开关驱动信号，

其中，所述第二场效应晶体管FET的源极被配置为由第一偏置电压来偏置，并且所述第三场效应晶体管FET被配置为由比所述第一偏置电压低的第二偏置电压来偏置。

2.根据权利要求1所述的放大器，其中，所述第一场效应晶体管FET和所述第二场效应晶体管FET的栅极具有比所述第三场效应晶体管FET的栅极的面积大的面积。

3.根据权利要求1所述的放大器，其中，所述第二偏置电压比所述第一偏置电压低至少一个场效应晶体管FET阈值电压。

4.根据权利要求1所述的放大器，其中，所述第一场效应晶体管FET、所述第二场效应晶体管FET以及所述第三场效应晶体管FET是氮化镓场效应晶体管FET。

5.一种在包括第一场效应晶体管FET和第二场效应晶体管FET的D类输出级中导通和截止所述第一场效应晶体管FET的方法，该方法包括以下步骤：

提供自举路径，该自举路径包括电阻元件，该电阻元件在所述第一场效应晶体管FET的源极与栅极之间；

响应于公共开关驱动信号来截止所述第二场效应晶体管FET和第三场效应晶体管FET，以允许跨所述自举路径的电压升至大于所述第一场效应晶体管FET的阈值电压的电平，从而导通所述第一场效应晶体管FET，所述第二场效应晶体管FET的漏极联接到所述第一场效应晶体管FET的源极，该第三场效应晶体管FET的漏极联接到所述第一场效应晶体管FET的栅极；

使所述第二场效应晶体管FET的源极偏置到第一偏置电压；

使所述第三场效应晶体管FET的源极偏置到比所述第一偏置电压低至少一个阈值电压的第二偏置电压；以及

响应于所述公共开关驱动信号而导通所述第二场效应晶体管FET和所述第三场效应晶体管FET，以迫使跨所述自举路径的电压为小于所述第一场效应晶体管FET的阈值电压的值，从而截止所述第一场效应晶体管FET。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一场效应晶体管FET和所述第二场效应晶体管FET的栅极具有比所述第三场效应晶体管FET的栅极的面积大的面积。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二场效应晶体管FET的源极被配置为由第一偏置电压来偏置，并且所述第三场效应晶体管FET被配置为由比所述第一偏置电压低的第二偏置电压来偏置。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一场效应晶体管FET、所述第二场效应晶体管FET以及所述第三场效应晶体管FET是氮化镓场效应晶体管FET。