[发明专利]有源矩阵基板、显示装置以及制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，具备：

绝缘基板；

表面覆盖膜，其覆盖所述绝缘基板的表面的至少一部分；

绝缘性透光膜，其设置在包括所述表面覆盖膜的所述绝缘基板上；

栅极线，其设置于所述绝缘性透光膜上；

栅极绝缘膜，其设置于所述栅极线上；

数据线，其在所述栅极绝缘膜上以与所述栅极线交叉的方式设置；

薄膜晶体管，其设置于与所述栅极线以及所述数据线的各交点对应的位置；以及

引出配线，其与所述栅极线或者所述数据线电连接，其特征在于，所述表面覆盖膜设置于所述绝缘基板与所述绝缘性透光膜之间，

在所述绝缘基板的周缘部形成有未设置有所述绝缘性透光膜的区域，

所述引出配线被设为，在从与所述绝缘基板垂直的方向观察时，同所述绝缘性透光膜的外周端部交叉，

所述表面覆盖膜也设置于未设置有所述绝缘性透光膜的所述区域中与所述绝缘性透光膜的外周端部接触的部分。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述绝缘性透光膜在一部分包含遮光区域，

所述遮光区域至少设置于在从与所述绝缘基板垂直的方向观察时，同所述栅极线以及所述数据线重叠的区域。

3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述遮光区域通过设置于所述表面覆盖膜与所述绝缘性透光膜之间的遮光膜而形成，

所述遮光膜具有多个开口部。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述绝缘性透光膜的端面相对于所述绝缘基板的表面而形成具有角度的斜面。

5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述绝缘性透光膜的端面与所述绝缘基板的表面所成的角为3～10度。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的有源矩阵基板，其其特征在于，

所述表面覆盖膜由相对于所述绝缘性透光膜的图案化时进行的蚀刻而被蚀刻的程度低于所述绝缘性透光膜的材料形成。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述表面覆盖膜由SiO₂构成。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述绝缘性透光膜由SOG膜构成。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述薄膜晶体管包括氧化物半导体。

10.一种显示装置，其特征在于，具备：

权利要求1～9中任一项所述的有源矩阵基板。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，还具备：

遮光膜，其设置于所述绝缘基板与所述绝缘性透光膜之间且具有多个开口部；

快门机构，其形成于比所述薄膜晶体管更上层的位置；以及

背光源，其以隔着所述快门机构而与所述绝缘基板对向的方式配置，

所述快门机构具有快门体，所述快门体对透射设置于所述遮光膜的所述开口部的背光源的光的光量进行控制。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，还具备：

对向基板，其与所述有源矩阵基板对向；和

液晶层，其设置于所述有源矩阵基板与所述对向基板之间。

13.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，还具备：

有机EL元件，其与所述薄膜晶体管连接。

14.一种有源矩阵基板的制造方法，所述有源矩阵基板具有配置为矩阵状的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源矩阵基板的制造方法具有：

形成覆盖绝缘基板的表面的至少一部分的表面覆盖膜的工序；

在包括所述表面覆盖膜的所述绝缘基板上形成绝缘性透光膜层的工序；

在所述绝缘性透光膜上形成所述薄膜晶体管的工序；

在所述绝缘性透光膜上形成与所述薄膜晶体管电连接的配线的工序；以及

形成与所述配线电连接并在所述有源矩阵基板的周缘部被引出的引出配线的工序，

在形成所述绝缘性透光膜的工序中，在所述绝缘性透光膜的图案化过程中进行蚀刻处理，

在所述蚀刻处理中，

在所述绝缘基板的周缘部形成有所述绝缘性透光膜被去除的第一区域和残留有所述绝缘性透光膜的第二区域，且以使所述表面覆盖膜至少残留在所述第一区域中形成所述第二区域的所述绝缘性透光膜的外周端部的附近的方式进行蚀刻，

在所述引出配线的形成工序中，以与所述绝缘性透光膜的外周端部交叉的方式形成所述引出配线。