[发明专利]光敏性聚酰亚胺组合物

说明书

本发明涉及干膜结构，其包括载体基材及由该载体基材支撑的聚合物层。该聚合物层包括至少一种完全酰亚胺化的聚酰亚胺聚合物。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年12月4日提交的美国临时专利申请序号62/263,372、2015年6月26日提交的美国临时专利申请序号62/185,424、2015年4月21日提交的美国临时专利申请序号62/150,381的优先权。这些在先申请的全文以引用的方式并入本文中。

背景技术

越来越多的半导体器件被用于许多新型嵌入式应用，包括新型移动装置的主机。为了让此扩展持续，必须降低这些半导体器件的制造成本。虽然已在探讨多种从晶圆切换至大型非圆形面板的途径，此切换提供数个关键的成本优势。

圆形基材、诸如硅晶圆准许通过旋转涂布法施加诸如光阻剂及介电材料之类的涂布材料。数十年来，旋转涂布法是将光敏材料施加至半导体基材的优选方法。最近几年，半导体工业已开始探索将光敏性涂布物施加至大型、非圆形面板基材的方法。这些基材、可是柔性的或刚性的，显现出特别的挑战并且需要处理及施加半导体涂层的可替代的方法。一种将涂层施加至这些先进基材的优选方法为使用可施加至实际上任何类型的基材的干聚合物膜。一旦施加，该干膜随后经积层以使该半导体涂层附着至基材。在光可成像的干膜光阻材料的情况中，在此积层步骤后，将该光阻材料图案状曝露于辐射并显影。

一类重要的光可成像干膜光阻材料为光可成像电介质(PIDs)。下一代半导体封装需要PID材料，PID材料拥有优良的光刻分辨率、优异的热性能和力学性能以及化学稳定性的组合。这些PID材料的分辨率应该允许印刷出具有高纵深比率(>2：1)的细微构形(<3微米)。现有的PID材料拥有数个缺陷使其无法满足下一代半导体封装应用的需求。现有的材料尚未克服的两个关键障碍为(1)高分辨率(<3微米)构形的图形化及(2)制造出薄的(<5微米)PID干膜。需要发展出满足这些需求的先进干膜PID材料。本发明的干膜PID材料通过克服现有材料的限制满足先进封装应用的需求。

发明内容

在一方面，本发明的特征为一种干膜结构，其包括载体基材及由该载体基材支撑的光敏性聚合物层，该光敏性聚合物层包括至少一种完全酰亚胺化的聚酰亚胺聚合物，其中该光敏性聚合物层具有至多约5微米(例如，至多约4微米或至多约3微米)的膜厚度。在某些实例中，该光敏性聚合物层进一步包括至少一种反应性官能化合物(RFC)及至少一种光引发剂。

在某些实例中，该至少一种完全酰亚胺化的聚酰亚胺聚合物由至少一种二胺制备，该至少一种二胺包括选自于由结构(Ia)的二胺及结构(Ib)的二胺所组成的群的化合物：

其中R1、R2、R3、R4、R5、R11、R12、R13及R14各自独立地是H、经取代或未经取代的C1-C6直链或支链烷基、或C5-C7环烷基。