[发明专利]用于涂布制品的方法有效

专利信息
申请号: 201680035104.3 申请日: 2016-06-17
公开(公告)号: CN107735436B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 王英男;缪卓南;江争;刘焕明;郝少康;黄家伟 申请(专利权)人: 动力专家有限公司
主分类号: C08J7/04 分类号: C08J7/04;C08J5/00;C08J3/28
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 杨海荣;穆德骏
地址: 中国香*** 国省代码: 香港;81
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摘要:
搜索关键词: 用于 制品 方法
【说明书】:

一种向制品的表面提供抗菌涂层的方法,所述方法包括如下步骤:将抗菌前体层施加到待施加抗菌涂层的制品的表面,其中所述抗菌前体层是待形成涂层的前体;和将来自中性分子氢通量发射源的中性分子氢通量引向制品的表面。在中性氢分子撞击制品表面处或表面上的分子后,抗菌前体层的键选择性断裂,并且其中选择性断裂的键与其自身或与所述表面处的其他化学基团或其组合交联,从而在制品的表面上形成抗菌涂层。

技术领域

发明涉及一种用于将涂层施加到制品的方法和由此获得的涂布制品。更特别地,本发明提供一种用于将涂层施加到制品的方法,如功能性涂层。

背景技术

在涂布需要将涂层施加到表面的构件或制品中,本领域的技术包括使用离子加速等的放电和加速相关技术。

例如,在本领域中,通常由金属基、硅基和镍磷(Ni-P)基材料形成的机械表构件或微型零件可能需要涂布。

由于高精度和衬底材料特征,在金属零件上进行的常规机械加工和电镀通常不能满足制造期间对于高精度和不导电类微型零件的关键要求。

这些微型零件可以通过微机电系统(MEMS)技术(诸如深度反应离子蚀刻(DRIE)和紫外线光刻(光刻))以及电铸成形(Galvanoformung)、模铸(Abformung)(UV-LIGA)制造。由于这些技术的生产能力和表面精饰要求的限制,诸如溅射、电子束等的方法可以用于微型零件沉积。在本领域中,将基于溅射的沉积技术用于MEMS制造。其可以通过调节功率、DC/RF转换、持续时间和压力来控制,例如对于膜厚度、宽度和均匀性控制。

对于常规溅射型沉积,其通常在高真空值下进行,并且在施加溅射和引入真空室等之前,借助于诸如压力式固定装置的机构将待涂布的样品或制品固定到固持器件。

在这些本领域的方法中,存在如下缺陷,包括在溅射沉积方法期间压力固定装置可覆盖的样品或制品上存在一些未涂布的盲区,并且这可能导致溅射源背面的涂层表面不均匀。此外,任何膜或涂层可能通过接触膜与压制性固定装置之间的硬接触而相对容易地被刮掉。

对于构件、样品和制品,包括硅基构件、样品和制品,使用现有技术的沉积方法来精确控制厚度(包括在纳米级)可能会遇到困难,因为在一些应用中,可能要求微型零件的所有表面用薄膜同时沉积。

在其它应用中,需要将非常薄的涂层施加到制品,诸如由金属或金属合金形成的制品,由此这些涂层必须能经受至少标称量的摩擦冲击,而所述制品不会磨损或耗损。

同样,在本领域已知的这些方法中,提供的可能是美观的或功能性的和厚度均匀的这些涂层通常会被耗损、剥离或具有不均匀的厚度。

本发明的目的

本发明的一个目的在于提供一种涂布制品的方法,其克服了或至少部分改善了与现有技术有关的至少一些缺陷。

发明内容

在第一方面中,本发明提供向制品的表面提供抗菌涂层的方法,所述方法包括如下步骤:

(i)将抗菌前体层施加到待施加抗菌涂层的制品的表面,其中所述抗菌前体层是待形成涂层的前体;和

(ii)将来自中性分子氢通量(hydrogen flux)发射源的中性分子氢通量引向制品的表面;

其中在中性氢分子撞击制品表面处或表面上的分子后,抗菌前体层的键选择性断裂,并且其中选择性断裂的键与其自身或与所述表面处的其他化学基团(chemicalmoieties)交联,从而在制品的表面上形成抗菌涂层。

在本发明的一个实施方式中,选择性断裂的键是C-H键和Si-H键中的任一者或者是C-H键与Si-H键的组合。

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