[发明专利]铌酸锂单晶基板及其制造方法

权利要求书

1.一种铌酸锂单晶基板的制造方法，其是使用通过切克劳斯基法培养成的铌酸锂单晶制造铌酸锂单晶基板的方法，其特征在于，

将单晶中的Fe浓度超过1000质量ppm且在2000质量ppm以下并且被加工成基板状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al₂O₃的混合粉末中，在450℃以上且小于550℃的温度条件下进行热处理，由此来制造体积电阻率被控制在超过1×10¹⁰Ω·cm且在2×10¹²Ω·cm以下的范围、并且铌酸锂单晶基板面内的体积电阻率的偏差σ/Ave小于3％的铌酸锂单晶基板，

并且，所述Ave是指由铌酸锂单晶基板中心部的1个点和外周部的4个点组成的面内的5个点测定的体积电阻率的平均值，所述σ是它们的标准偏差，所述体积电阻率是通过以JISK-6911为标准的三端子法进行测定而获得的值。

2.根据权利要求1所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，

所述被加工成基板状态的铌酸锂单晶的表面的算术平均粗糙度Ra为0.2μm以上且0.4μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，在真空环境或非活性气体的减压环境下进行所述热处理。

4.根据权利要求1或2所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，进行1小时以上的所述热处理。

5.根据权利要求3所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，

进行1小时以上的所述热处理。

6.一种铌酸锂单晶基板，其是由权利要求1至5中任一项所述的铌酸锂单晶基板的制造方法制造得到的铌酸锂单晶基板，其体积电阻率被控制在超过1×10¹⁰Ω·cm且在2×10¹²Ω·cm以下的范围，其特征在于，

铌酸锂单晶中的Fe浓度超过1000质量ppm且在2000质量ppm以下，并且，铌酸锂单晶基板面内的体积电阻率的偏差σ/Ave小于3％，

并且，所述Ave是指由铌酸锂单晶基板中心部的1个点和外周部的4个点组成的面内的5个点测定的体积电阻率的平均值，所述σ是它们的标准偏差，所述体积电阻率是通过以JISK-6911为标准的三端子法进行测定而获得的值。