[发明专利]锂二次电池用负极活性材料及其制备方法

权利要求书

1.一种制备负极活性材料的方法，包括：

在由SiO_x表示的硅类前体上形成碳涂层，其中0x2；

将其上形成有所述碳涂层的硅类前体进行热处理，其中所述热处理包括利用金属还原剂在惰性气氛中将硅类前体进行热还原；和

通过去除杂质而制备由SiO_a表示且在表面上分布有碳涂层的硅类复合物，其中0a1；

其中所述硅类复合物包含非晶硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅类复合物还包含具有10nm以下的晶体尺寸的晶体硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳涂层的含量在所述负极活性材料总重量的1至50重量％的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述热处理在350至650℃的温度范围内进行。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属还原剂包含选自由Ti、Al、Mg、Ca、Be、Sr、Ba及其组合组成的组中的一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅类前体对所述金属还原剂的摩尔比在1：0.001至1：1的范围内。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅类复合物的制备包括使用酸性水溶液去除杂质。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述杂质包含选自由金属氧化物、金属硅化物和金属硅酸盐组成的组中的一种或多种材料，并且所述金属为选自由Ti、Al、Mg、Ca、Be、Sr、Ba和其组合组成的组中的一种。

9.一种负极活性材料，包含：

由SiO_a表示的硅类复合物，其中0a1；以及

分布在所述硅类复合物的表面上的碳涂层；

其中所述硅类复合物包含非晶硅，

其中所述负极活性材料是通过权利要求1所述的方法得到的。

10.根据权利要求9所述的负极活性材料，其中所述硅类复合物还包含具有10nm以下的晶体尺寸的晶体硅。

11.根据权利要求9所述的负极活性材料，其中所述硅类复合物还包含晶体硅氧化物。

12.根据权利要求10所述的负极活性材料，其中在所述硅类复合物中的晶体硅的量基于硅的总重量为10重量％以下。

13.根据权利要求9所述的负极活性材料，其中所述碳涂层的厚度在0.003至3.0μm的范围内。

14.一种二次电池，包含权利要求9所述的负极活性材料。