[发明专利]单分散IR吸收纳米颗粒以及相关方法和装置在审
| 申请号： | 201680033386.3 | 申请日： | 2016-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN107636431A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 弗兰基·索;金渡泳;李在雄;布哈本德拉·K·普拉丹 | 申请（专利权）人： | 佛罗里达大学研究基金会有限公司;纳米控股有限公司 |
| 主分类号： | G01J1/04 | 分类号： | G01J1/04;G01J1/42;G01J1/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,苏虹 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分散 ir 吸收 纳米 颗粒 以及 相关 方法 装置 | ||
1.一种装置，包括：
包含多个纳米晶体的层，其中所述多个纳米晶体的平均最大截面尺寸为约2nm或更大，其相对标准偏差为约10％或更小，其中所述多个纳米晶体能够吸收波长为至少约700nm的电磁辐射。
2.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中至少部分所述多个纳米晶体为量子点。
3.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中至少部分所述多个纳米晶体包含PbS和/或PbSe。
4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中基本上所有的所述纳米晶体包含PbS和/或PbSe。
5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述相对标准偏差为约5％或更小。
6.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述相对标准偏差为约1％或更小。
7.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述相对标准偏差为约1％至约10％。
8.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述平均最大截面尺寸为约10nm或更大。
9.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述平均最大截面尺寸为约20nm或更大。
10.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述平均最大截面尺寸为约2nm至20nm。
11.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述多个纳米晶体能够吸收波长为至少约1微米的电磁辐射。
12.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述多个纳米晶体能够吸收波长为至少约2微米的电磁辐射。
13.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述多个纳米晶体能够吸收波长为至少约3.5微米的电磁辐射。
14.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述多个纳米晶体能够吸收波长为约700nm至约3.5微米的电磁辐射。
15.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述多个纳米晶体具有FWHM为约400nm或更小的吸收峰。
16.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述多个纳米晶体具有FWHM为约100nm或更小的吸收峰。
17.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述多个纳米晶体具有FWHM为约10nm至约400nm的吸收峰。
18.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述装置为IR光电探测器。
19.根据前述权利要求中任一项所述的装置，还包括空穴阻挡层。
20.根据权利要求19所述的装置，其中所述空穴阻挡层包含有机材料。
21.根据权利要求20所述的装置，其中所述空穴阻挡层包含BCP、UGH2、BPhen、Alq3、mCP、C60、和/或3TPYMB。
22.根据权利要求19所述的装置，其中所述空穴阻挡层包含无机材料。
23.根据权利要求22所述的装置，其中所述无机材料包含ZnO、TiO2、SiO、SiO2、Si3N4、和/或Al2O3。
24.根据前述权利要求中任一项所述的装置，还包括电子阻挡层。
25.根据权利要求24所述的装置，其中所述电子阻挡层包含TAPC、NPB、TPD、TPB、聚-TPD、PS-TPD-PFCB、NiO、和/或CuO。
26.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述装置为IR-至-可见光上转换装置。
27.根据前述权利要求中任一项所述的装置，还包括OLED。
28.根据权利要求27所述的装置，其中所述OLED包括发光层、空穴传输层、和电子传输层。
29.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述装置为IR太阳能电池。
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