[发明专利]离子植入系统以及原位等离子清洗方法

权利要求书

1.一种离子植入系统，其特征在于，包括：

在所述离子植入系统的腔室内的构件，其中所述构件为静电滤波器，所述静电滤波器包含沿着离子束线安置的多个传导性射束光学器件；

与所述构件连通的电力供应器，所述电力供应器在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到所述构件和在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到所述构件，其中所述第一电压和所述第一电流经独立的施加到所述构件的所述多个传导性射束光学器件的每一者，其中所述构件包含电极栅，所述电极栅围绕所述离子束线并联延伸且安置在所述离子束线的上方和下方，安置于直接相邻所述传导性射束光学器件与所述静电滤波器的外壳，所述电极栅在所述清洗模式期间接收所述第二电压以在所述传导性射束光学器件的一或多者周围产生等离子，其中在所述清洗模式期间供应所述第二电压至所述电极栅，其中在所述清洗模式期间所述多个传导性射束光学器件处于零伏特；以及

蚀刻剂气体，其经供应到所述构件以实现所述传导性射束光学器件的蚀刻。

2.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括用于将所述蚀刻剂气体供应到所述腔室的气体入口。

3.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括用于调整所述蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器。

4.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括用于调整所述腔室的压力的真空泵。

5.根据权利要求1所述的离子植入系统，所述第二电压和所述第二电流从以下中的一者供应：直流电力供应器和射频电力供应器。

6.根据权利要求1所述的离子植入系统，所述构件包括能量纯度模块。

7.一种离子植入系统，其特征在于，包括：

能量纯度模块，其包含用于等离子的产生的腔室，其中所述能量纯度模块包含沿着离子束线安置的多个传导性射束光学器件；以及电极栅，直接往相邻所述多个传导性射束光学器件及所述能量纯度模块的外壳延伸，所述电极栅安置在所述离子束线的上方和下方，

与所述能量纯度模块连通的电力供应器，所述电力供应器在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到所述多个传导性射束光学器件，且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到所述电极栅，其中所述第一电压和所述第一电流经独立的施加到所述能量纯度模块的所述多个传导性射束光学器件的每一者，其中所述电极栅在所述清洗模式期间接收所述第二电压和第二电流以在所述传导性射束光学器件的一或多者周围产生等离子，其中所述电极栅在所述处理模式期间接地且在所述清洗模式期间供应第二电压至所述电极栅，且其中在所述清洗模式期间所述多个传导性射束光学器件处于零伏特；以及

流量控制器，其用于在所述清洗模式期间调整供应到所述能量纯度模块的蚀刻剂气体的注入速率。

8.根据权利要求7所述的离子植入系统，其特征在于所述多个传导性射束光学器件包括多个电极杆。

9.根据权利要求7所述的离子植入系统，所述第一电压和所述第一电流由直流电力供应器供应，且所述第二电压和所述第二电流由以下中的一者供应：直流电力供应器和射频电力供应器。